Microsemi Corporation - разработчик полупроводниковых устройств, специализирующийся в области проектирования интегральных схем и высоконадежных дискретных устройств, - представляет новое семейство быстродействующих, высоковольтных n-канальных импульсных транзисторов Power MOS 8™.
Эти транзисторы были разработаны и анонсированы ещё компанией Advanced Power Technology (APT). От высоковольтных транзисторов предыдущих поколений их выгодно отличают пониженный уровень электромагнитных излучений и меньшая стоимость.
Новые высоковольтные транзисторы Power MOS 8™ компании Microsemi оптимизированы для жёсткого и мягкого переключения на высоких частотах в высоковольтных применениях при мощности более 500Вт. FREDFET транзисторы имеют встроенный диод со сверхбыстрым восстановлением, что приводит к улучшению коммутационных параметров (dv/dt).
Основные характеристики транзисторов Microsemi семейства Power MOS 8™:
| • Быстрое переключение; | • Множество значений мощности; |
| • Малый заряд затвора; | • Соответствие требованиям RoHS; |
| • Низкая стоимость; |
• Низкий уровень ЭМИ излучения. |
Применения и рынки для транзисторов семейства MOS 8™:
|
|
Сварка, плазменная резка |
Индукционный нагрев |
Солнечная энергетика |
Медицина (MRI, CT & X-Ray) |
Оборудование для производства полупроводников |
Связь, источники питания серверов |
Системы бесперебойного питания |
Сверхмощные импульсные источники питания |
|
1200 В |
|
M | M, F | M, F | ||||
|
1000 В |
M, F | M, F | M, F | M, F | M, F | M, F | ||
|
900 В |
I | I | I | I | ||||
|
800 В |
M, F | M, F | M, F | M, F | ||||
|
600 В |
M, I, U | M, U | I | I, F, U | M, I, F, U | |||
|
500 В |
M, U | M, U | M, U | M, U | F, U | M, F, U |
M - MOSFET, F - FREDFET, U - Ultrafast Recovery FREDFET, I - IGBT.