Новости

20.09
...

Power MOS 8™ - новое семейство быстродействующих высоковольтных n-канальных импульсных транзисторов Microsemi

Microsemi Corporation - разработчик полупроводниковых устройств, специализирующийся в области проектирования интегральных схем и высоконадежных дискретных устройств, - представляет новое семейство быстродействующих, высоковольтных n-канальных импульсных транзисторов Power MOS 8™.

Эти транзисторы были разработаны и анонсированы ещё компанией Advanced Power Technology (APT). От высоковольтных транзисторов предыдущих поколений их выгодно отличают пониженный уровень электромагнитных излучений и меньшая стоимость.

Новые высоковольтные транзисторы Power MOS 8™ компании Microsemi оптимизированы для жёсткого и мягкого переключения на высоких частотах в высоковольтных применениях при мощности более 500Вт. FREDFET транзисторы имеют встроенный диод со сверхбыстрым восстановлением, что приводит к улучшению коммутационных параметров (dv/dt).

Основные характеристики транзисторов Microsemi семейства Power MOS 8™:

• Быстрое переключение; • Множество значений мощности;
• Малый заряд затвора; • Соответствие требованиям RoHS;
• Низкая стоимость;

• Низкий уровень ЭМИ излучения.

 

Применения и рынки для транзисторов семейства MOS 8™:

 

Сварка, плазменная резка

 

Индукционный нагрев

 

Солнечная энергетика

 

Медицина (MRI, CT & X-Ray)

Оборудование  для производства полупроводников

 

Связь, источники питания серверов

Системы бесперебойного питания

Сверхмощные импульсные источники питания

1200 В

 

               M              M, F                  M, F

1000 В

             M, F              M, F              M, F               M, F            M, F                  M, F

900 В

                I                  I               I                     I

800 В

          M, F              M, F            M, F                  M, F

600 В

        M, I, U              M, U                 I              I, F, U               M, I, F, U

500 В

          M, U              M, U              M, U              M, U                F, U                M, F, U

  M - MOSFET, F - FREDFET, U - Ultrafast Recovery FREDFET, I - IGBT.