Новости

06.11
...

Первый IGBT-транзистор с карбидокремниевым диодом (SiC) Шоттки компании CREE

Компания CREE - мировой лидер в производстве силовых полупроводниковых устройств на основе карбида кремния (SiC), - сообщает о выпуске первого комбинированного силового устройства, разработанного с целью уменьшения стоимости и увеличения эффективности инверторов.

Cree CID150660Новый прибор CID150660 - это IGBT-транзистор с параллельным диодом Шоттки на основе карбида кремния. Диод обладает рабочим напряжением 600В и током 6А. Кремниевый IGBT транзистор рассчитан на ток 15А. Транзистор производится компанией International Rectifier.

Это первый компонент из семейства комбинированных устройств компании CREE, отличающийся меньшим уровнем потерь при переключении IGBT-транзистора на 50% и меньшим значением общих потерь инвертора на 25%.

По сравнению с традиционными кремниевыми pn-диодами, диоды Шоттки на основе SiC и комбинированные компоненты с их использованием имеют меньший уровень коммутационных помех, более высокие рабочие частоты и высокую удельную мощность. Это достигается за счёт того, что у данных диодов полностью отсутствует эффект накопления заряда в n-области, поэтому отсутствует и эффект обратного восстановления.

Основными применениями IGBT-транзисторов компании CREE с параллельным диодом Шоттки на основе карбида кремния являются источники бесперебойного питания, преобразователи солнечной энергии и блоки управления приводами электродвигателей.

 IGBT-транзисторы CID150660 с параллельным SiC диодом Шоттки выпускаются компанией CREE в широко распространенном корпусе TO-220-3.