Новости

25.03
...

Microsemi расширяет линейку высокоэффективных транзисторов Power MOS 8™ Ultra Fast FREDFET

Microsemi Corporation - ведущий производитель высококачественных аналоговых и аналого-цифровых микросхем, - расширяет новое поколение высокоэффективных транзисторов POWER MOS 8™ выпуском семейства Ultra Fast FREDFETs (H-FREDFETs).

Microsemi Power MOS8Новые транзисторы H-FREDFET компании Microsemi спроектированы для работы в широком диапазоне напряжений до 500В и до 600В и токов от 23А до 97А. Они предназначены для высокоэффективных применений, таких, как автономные источники питания, приводы, источники питания компьютерной техники, инверторы солнечных батарей, одно- и трехфазные источники питания для дуговой сварки и для оборудования резки плазмой, устройства заряда батарей, индукционный нагрев, медицинское оборудование (отображение магнитного резонанса, томография).

Основные характеристики транзисторов Microsemi семейства H-FREDFET:

  • быстрый внутренний антипараллельный диод с временем обратного восстановления trr менее 200нс, обеспечивающий исключительную надежность для резонансных мостовых схем;
  • превосходная невосприимчивость к возникновению генерации и малый уровень электромагнитного излучения (EMI);
  • низкий заряд затвора;
  • устойчивость к поглощению большой лавинной энергии;
  • низкое тепловое сопротивление.

Семейство MOS 8™ выпускается по усовершенствованной технологии, обладает меньшим тепловым сопротивлением и обеспечивает большие рабочие токи, по сравнению с прежними семействами транзисторов (MOS 5 и MOS 7). Низкая емкость и малый заряд затвора обеспечивают минимальные динамические потери и возможность работы на высоких частотах.

Новые транзисторы H-FREDFET компании Microsemi обладают всеми характеристиками и преимуществами транзисторов семейства MOS 8TM FREDFETs, но имеют меньшее сопротивление RDS(on) и более быстрый внутренний диод. Транзисторы обеспечивают выносливость и надежность, в таких применениях, где внутренний обратный диод пропускает прямые токи, например, в мостовых схемах с переключением в момент нулевого напряжения. Все транзисторы нового семейства H-FREDFET поколения MOS 8™ проходят тестирование на устойчивость к поглощению большой лавинной энергии и выпускаются согласно требованиям RoHS.