CREE Inc. - ведущий разработчик и производитель полупроводниковых изделий на основе кристаллов карбида кремния (SiC), нитрида галлия (GaN), кремния (Si) и родственных им материалов, - сообщает об очередной модернизации собственной технологии изготовления подложек из карбида кремния (SiC).
Новая технология компании CREE позволяет изготовить 100-мм карбидокремниевую подложку n-типа с очень малой концентрацией дефектов, в частности, практически с полным отсутствием микропор в структуре кристалла.
Микропоры, как наиболее распространенные дефекты структуры кристалла, приводят не только к уменьшению количества пригодных к эксплуатации электронных устройств, произведенных из каждой подложки, но и влияют на рабочие характеристики приборов. До недавнего времени данные дефекты присутствовали практически во всех изготавливаемых и продаваемых SiC-кристаллах. Но благодаря проведенным компанией CREE и Управлением перспективных исследований и разработок министерства обороны США исследованиям, концентрация дефектов была значительно сокращена. А изготовление 100-мм SiC подложки без микропор позволяет производить кристаллы без дефектов и с большой площадью.
Карбид кремния - высококачественный полупроводниковый материал, используемый в производстве различного силового и коммуникационного оборудования, например, в импульсных преобразователях, светодиодах и мощных СВЧ-транзисторах.