Новости

13.06
...

Драйверы для высокочастотных полевых транзисторов компании Microsemi

Microsemi Corporation сообщает о расширении своего семейства высокочастотных драйверов МОП-транзисторов и гибридных микросхем, включающих в свой состав и драйвера и транзисторы.

Microsemi DRF1201Драйвер DRF200, одноканальные гибридные микросхемы DRF1201 и DRF1202, а также двухканальная DRF1300 предназначены для использования в радиочастотных высоковольтных генераторах класса D и E с рабочими частотами от 2 до 50МГц. Драйверы широко используются для генерации плазмы, возбуждения CO2-лазеров, в импульсных усилителях мощности, импульсных генераторах, ультразвуковых преобразователях и оптико-акустических модуляторах.

Основные характеристики высокочастотных драйверов компании Microsemi:

  • Возможность управления МОП транзисторами с входной емкостью 3нФ (DRF200);
  • Импульсная выходная мощность до 1100Вт (DRF1201);
  • Использование недорогих безфланцевых корпусов;
  • Частота переключения до 50 МГц (при 50Ом нагрузке);
  • Функционирование в классах усиления D и E;
  • Увеличенная область безопасной работы (SOA);
  • Высокое значение допустимого отклонения рассогласования нагрузки;
  • Превосходная термостойкость.

 

Драйвер DRF200, работающий в ключевом режиме, оптимизирован инженерами компании Microsemi для управления мощными 500В и 1000В МОП-транзисторами. До недавнего времени использование МОП-транзисторов на радиочастотах было затруднено влиянием значительной ёмкости затвора. Данный драйвер способен управлять высокочастотными транзисторами с входной ёмкостью более 3нФ и напряжением питания 15В на частоте 15МГц.

Для дальнейшей оптимизации рабочих характеристик устройств были разработаны одноканальные гибридные микросхемы DRF1201 и DRF1202, объединяющие в одном корпусе драйвер, фильтрующие конденсаторы и либо 500В, либо 1000В высокочастотный МОП-транзистор. Качество функционирования таких устройств повышается вследствие уменьшения паразитных связей между драйвером, конденсатором и транзистором.

Микросхема DRF1300 представляет собой двухканальную гибридную микросхему, каждый канал которой состоит из драйвера и 1000В транзистора, используемого в двухтактном режиме. Все микросхемы семейства DRF компании Microsemi отличаются использованием запатентованной технологии уменьшения "звона" для устранения перекрестных помех в мостовых или двухтактных схемах. Также у всех микросхем существует возможность выбора между применением инвертирующей и неинвертирующей топологий, за исключением DRF200 (только неинвертирующая).

Использование гибридных микросхем DRF семейства позволяет упростить разработку недорогих мощных высокочастотных усилителей классов D и E, функционирующих на высоких рабочих напряжениях с различным сопротивлением нагрузки. Новые 1000В микросхемы Microsemi способны стабильно работать при напряжении 125В и сопротивлении нагрузки 50Ом. Высокое значение импеданса делает возможным параллельное включение устройств. Увеличенное значение рабочего напряжения приводит к уменьшению постоянного тока, необходимого для получения заданной выходной мощности, что в свою очередь вызывает повышение эффективности и сокращение размеров, веса и стоимости других компонентов системы.

Микросхемы семейства DRF выпускаются компанией Microsemi в безфланцевых корпусах, которые отличаются низким тепловым сопротивлением и малой стоимостью.