Microsemi Corporation - ведущий производитель высококачественных аналоговых и аналого-цифровых микросхем, - объявляет о заключении договора на поставку карбидокремниевых (SiC) эпитаксиальных пластин для производства мощных полупроводниковых приборов.
Компания SemiSouth (www.semisouth.com) специализируется на производстве карбидокремнивых материалов и устройств на их основе. Договор также предусматривает сотрудничество двух компаний и обмен опытом в производстве эпитаксиальных SiC-пластин.
Для обеих компаний это значительный шаг к выходу на развивающийся и перспективный рынок полупроводниковых приборов на основе карбида кремния.
Карбид кремния применяется при производстве современных сверхбыстрых высоковольтных диодов Шоттки, N-МОП-транзисторов и высокотемпературных тиристорах. По сравнению с полупроводниковыми устройствами на основе кремния и арсенида галлия приборы из карбида кремния имеют существенные преимущества:
- в несколько раз большая ширина запрещённой зоны;
- в 10 раз большая напряженность поля электрического пробоя;
- высокие допустимые рабочие температуры (до 600 °C);
- теплопроводность в 3 раза больше, чем у кремния, и почти в 10 раз больше, чем у арсенида галлия;
- стабильность электрических характеристик при изменении температуры прибора и отсутствие дрейфа параметров во времени;
- повышенная устойчивость к воздействию радиационного излучения.