Новости

08.10
...

Силовые IGBT модули компании Microsemi для преобразователей солнечной энергии

Компания Microsemi расширила линейку силовых модулей для преобразователей солнечной энергии, выпустив четыре новых IGBT модуля.

Microsemi APTGV50H60BGВсе новые силовые модули компании Microsemi состоят из одиночного ключа для повышающей схемы и моста из IGBT-ключей. Верхние IGBT выполнены по технологии "Trench & Field Stop", обладают малым напряжением насыщения и работают на меньшей частоте, чем нижние транзисторы, выполненные по технологии NPT и предназначены для работы на частотах от 15кГц до 50кГц.

Повышающая схема в новых модулях предназначена для построения вспомогательного DC-DC преобразователя.

Как и в предыдущих силовых модулях компании Microsemi для преобразователей солнечной энергии, диоды моста согласованы с транзисторами для повышения эффективности работы инвертора. Для снижения потерь восстановления диодов параллельно IGBT включены быстрые диоды с «мягким» восстановлением серии DQ. Низкое прямое напряжение диодов защищает нижний IGBT от перенапряжений при пересечении током нулевого уровня. Интегрированный датчик температуры обеспечивает защиту от перегрева корпуса силового модуля (SP6-P).

Два силовых модуля рассчитаны на напряжение 600В, а два других на напряжение 1200В. В каждом классе напряжения для модуля, рассчитанного на меньшую мощность, используется корпус SP4, а для модуля, рассчитанного на большую мощность, - SP6-P. В модулях класса 6 в качестве одиночного ключа используется транзистор CooLMOS, а в модулях класса 12 - быстрый транзистор NPT IGBT. Для обоих классов используется быстрый диод с мягким восстановлением DQ-типа. Кроме того, для повышения частоты или снижения потерь при переключении есть возможность заказать карбидокремниевый диод вместо данного диода.