Компания Microsemi расширила линейку силовых модулей для преобразователей солнечной энергии, выпустив четыре новых IGBT модуля.
Все новые силовые модули компании Microsemi состоят из одиночного ключа для повышающей схемы и моста из IGBT-ключей. Верхние IGBT выполнены по технологии "Trench & Field Stop", обладают малым напряжением насыщения и работают на меньшей частоте, чем нижние транзисторы, выполненные по технологии NPT и предназначены для работы на частотах от 15кГц до 50кГц.
Повышающая схема в новых модулях предназначена для построения вспомогательного DC-DC преобразователя.
Как и в предыдущих силовых модулях компании Microsemi для преобразователей солнечной энергии, диоды моста согласованы с транзисторами для повышения эффективности работы инвертора. Для снижения потерь восстановления диодов параллельно IGBT включены быстрые диоды с «мягким» восстановлением серии DQ. Низкое прямое напряжение диодов защищает нижний IGBT от перенапряжений при пересечении током нулевого уровня. Интегрированный датчик температуры обеспечивает защиту от перегрева корпуса силового модуля (SP6-P).
Два силовых модуля рассчитаны на напряжение 600В, а два других на напряжение 1200В. В каждом классе напряжения для модуля, рассчитанного на меньшую мощность, используется корпус SP4, а для модуля, рассчитанного на большую мощность, - SP6-P. В модулях класса 6 в качестве одиночного ключа используется транзистор CooLMOS, а в модулях класса 12 - быстрый транзистор NPT IGBT. Для обоих классов используется быстрый диод с мягким восстановлением DQ-типа. Кроме того, для повышения частоты или снижения потерь при переключении есть возможность заказать карбидокремниевый диод вместо данного диода.