Новости

17.03
...

Радиационно-стойкие нитрид-галлиевые полевые транзисторы Microsemi для космоса

Microsemi Corporation объявила о разработке усовершенствованных нитрид-галлиевых полевых транзисторов для космических аппаратов, силовых преобразователей военного назначения, мощных высокочастотных преобразователей и других радиационно-стойких применений.

Совместные разработки Microsemi и EPC радиационно-стойких МОП транзисторовMicrosemi Corporation ведёт разработку совместно с Efficient Power Conversion (EPC), которая является первой в мире компанией, выпустившей полевые транзисторы на основе нитрида галлия на кремнии по технологии eGaN®. Совместные усилия компаний сконцентрированы на создании линейки высокоэффективных полевых транзисторов для устройств, требующих высокой степени надёжности в условиях радиационного излучения, таких как изделия для космоса и продукция военного назначения.

Первые радиационно-стойкие полевые GaN транзисторы новой линейки будут предлагаться Microsemi в диапазонах рабочих напряжений 40, 60, 100, 150 и 200В и будут иметь сопротивление открытого канала исток-сток в диапазоне 4-100 мОм. Ожидается, что транзисторы будут иметь отличные характеристики при высоких температурах и температуру перехода, близкую к 300°C. Радиационно-стойкие полевые транзисторы Microsemi планируется поставлять в корпусах для поверхностного и выводного монтажа, а также в бескорпусном исполнении.

В усовершенствованных полевых транзисторах Microsemi для радиационно-стойких применений будет применяться полупроводниковый материал с большой шириной запрещённой зоны, что повышает производительность по сравнению с традиционными радиационно-стойкими кремниевыми МОП-транзисторами.

Новые радиационно-стойкие полевые транзисторы Microsemi имеют следующие особенности и преимущества:
     - Очень низкая паразитная ёмкость, что позволяет уменьшить потери переключения вдвое, позволяя создавать высокоэффективное оборудование;
     - Более низкое сопротивление канала в открытом состоянии, что позволяет минимизировать потери проводимости и увеличить коэффициент передачи цепи;
     - Отличная стойкость к радиационным воздействиям.

Предварительное тестирование воздействия радиационного излучения на работоспособность полевых GaN транзисторов показало их хорошую устойчивость к различным видам воздействий единичных событий (Single Event Effects - SEE) и суммарной поглощённой дозе излучения (Total Ionizing Dose – TID). Полученные результаты позволят разработать полевые транзисторы как для высокоорбитальных космических аппаратов, так и для аппаратов, работающих в условиях глубокого космоса. Microsemi Corporation будет работать в тесном сотрудничестве с Управлением тыла министерства обороны США (Defense Logistics Agency - DLA), чтобы разработать тестовые спецификации, удовлетворяющие требованиям стандарта MIL-PRF-19500, для подтверждения качества предлагаемых транзисторов.

Образцы новых радиационно-стойких GaN полевых транзисторов компании Microsemi будут доступны для разработчиков космической аппаратуры уже с середины 2011 г., а серийное производство этих транзисторов планируется запустить с ноября 2011 г.