Новости

17.06
...

Microsemi сертифицировала в DSCC N-канальные MOSFET-транзисторы для применения в космосе

Microsemi Corporation сообщает, что Центр военного снабжения в г. Колумбус (Defense Supply Center Columbus - DSCC) предоставил сертификат на космическое применение радиационно-стойких силовых MOSFET-транзисторов, выпускаемых компанией. Силовые полевые транзисторы с каналом N-типа присоединяются к уже сертифицированным DSCC силовым МОП-транзисторам Microsemi с каналом P-типа и завершают линейку этих радиационно-стойких изделий.

DSCCКомпания Microsemi выпускает 20 новых радиационно-стойких герметичных силовых MOSFET-транзисторов в трёх видах корпусов для сквозного монтажа и двух корпусах для поверхностного монтажа. Эти радиационно-стойкие полевые транзисторы созданы в соответствие с требованиями стандарта MIL-PRF-19500 по уровню суммарной дозы излучения до 300 крад (Si).

Предоставив разработчикам новую линию радиационно-стойких MOSEFT-транзисторов, компания Microsemi подтвердила свою приверженность космической промышленности и статус поставщика № 1 силовых дискретных компонентов на рынке высоконадёжных изделий. Более того, компания уже ведёт разработки, направленные на создание следующего поколения радиационно-стойких изделий.

Все новые MOSFET-транзисторы были разработаны, чтобы соответствовать требованиям, предъявляемым к космической аппаратуре. Радиационно-стойкие MOSFET-транзисторы наиболее часто используются в источниках питания, преобразователях напряжения, блоках управления приводом и другой преобразовательной технике. Они используют последние технологии производства полупроводниковых пластин, разработанные компанией Microsemi.

Особенности радиационно-стойких MOSFET-транзисторов компании Microsemi:
     - Суммарная доза радиационной стойкости до 300 крад (Si);
     - Рабочее напряжение 100 или 200В для MOSFET-транзисторов с каналом N-типа;
     - Рабочее напряжение 100В для MOSFET-транзисторов с каналом P-типа;
     - Три вида герметичных корпусов, предназначенных для сквозного монтажа;
     - Два вида герметичных корпусов, предназначенных для поверхностного монтажа;
     - Высокая скорость переключений, низкое RDS(ON) (сопротивление канала исток-сток);
     - Устойчивость к воздействиям единичных событий.

Полный список сертифицированных в DSCC для космических применений радиационно-стойких силовых N- и P-канальных MOSFET-транзисторов компании Microsemi для поверхностного монтажа и монтажа в отверстия:

     MOSFET-транзистор   BVDSS, В  RDS(ON), Ом   I (D), А    Тип канала            Корпус     MIL-PRF-19500
    JANSR2N7261

     100

       0.18

    8.0

          N

    TO-205AF(TO-39)

            /601

    JANSF2N7261      100        0.18     8.0           N     TO-205AF(TO-39)             /601
    JANSR2N7262      200        0.18     5.5           N     TO-205AF(TO-39)             /601
    JANSF2N7262      200        0.18     5.5           N     TO-205AF(TO-39)             /601
    JANSR2N7261U      100        0.18     8.0           N     18 Pin LCC             /601
    JANSF2N7261U      100        0.18     8.0           N     18 Pin LCC             /601
    JANSR2N7262U      200        0.18     5.5           N     18 Pin LCC             /601
    JANSF2N7262U      100        0.18     5.5           N     18 Pin LCC             /601
    JANSR2N7268      100       0.065      34           N     TO-254AA             /603
    JANSF2N7268      100       0.065      34           N     TO-254AA             /603
    JANSR2N7269      200        0.10      26           N     TO-254AA             /603
    JANSF2N7269      200        0.10      26           N     TO-254AA             /603
   JANSR2N7268U      100       0.065      34           N     TO-267AB(SMD1)             /603
    JANSF2N7268U      100       0.065      34           N     TO-267AB(SMD1)             /603
    JANSR2N7269U      200        0.10      26              N     TO-267AB(SMD1)             /603
    JANSF2N7269U      200        0.10      26           N     TO-267AB(SMD1)             /603
    JANSR2N7380      100        0.18     14.4           N     TO-257AA             /614
    JANSF2N7380      100        0.18     14.4           N     TO-257AA             /614
    JANSR2N7381      200         0.4      9.4           N     TO-257AA             /614
    JANSF2N7381      200         0.4      9.4           N     TO-257AA             /614
    JANSM2N7382     -100         0.3    -11.0           P     TO-257AA             /615
    JANSD2N7382     -100         0.3    -11.0           P     TO-257AA             /615
    JANSR2N7382     -100         0.3    -11.0           P     TO-257AA             /615
    JANSF2N7382     -100         0.3    -11.0           P     TO-257AA             /615
    JANSF2N7389     -100         0.3     -6.5           P     T0-205AF(T0-39)             /630
    JANSR2N7389     -100         0.3     -6.5           P     T0-205AF(T0-39)             /630
    JANSF2N7389U     -100         0.3     -6.5           P     18 Pin LCC             /630
    JANSR2N7389U     -100         0.3     -6.5           P     18 Pin LCC             /630

Все радиационно-стойкие MOSFET-транзисторы Microsemi предлагаются до обеспечения радиационной стойкости (RHA) уровня F (полная доза ионизации 300 крад (Si)). Так же доступны все более низкие стандартные уровни суммарной дозы ионизации.