Microsemi Corporation представила новый радиочастотный транзистор 1011GN-700ELM, предназначенный для применения во вторичных системах радионаблюдения (SSR) систем контроля воздушного движения.
Транзистор 1011GN-700ELM открывает новую линейку GaN-on-SiC силовых радиочастотных транзисторов Microsemi, которая будет включать в себя транзисторы с уровнями выходной мощности 250, 500 и 700 Вт для создания радарных систем вторичного наблюдения.
Вторичные системы радионаблюдения используются для отправки сообщений самолёту, оборудованному ответчиком, и получения данных, которые позволяют авиадиспетчерам идентифицировать, отслеживать и определять местоположение самолёта. Транзистор 1011GN-700ELM компании Microsemi с пиковой выходной мощностью 700 Вт предназначен для работы на частоте 1030 МГц и поддерживает работу в режиме коротких и длинных импульсных сообщений увеличенной длины (ELM). Транзистор производится по полупроводниковой технологии нитрид галлия на карбиде кремния (GaN-on-SiC), являющейся наиболее подходящей для разработки авиационных радаров с высокой выходной мощностью.
Транзистор 1011GN-700ELM имеет выходную мощность 700 Вт (без использования параллельного включения) с коэффициентом усиления мощности 21 дБ и 70-процентной эффективностью стока на частоте 1030 МГц, что снижает суммарный ток стока и тепловыделение компонента.
Ключевые характеристики транзистора 1011GN-700ELM:
• Формат коротко- и длинноимпульсных последовательных посылок: ELM = 2.4 мс, 64% и 6.4 % (LTD)
• Пиковая выходная мощность: 700 Вт
• Коэффициент усиления мощности 21 дБ (минимум)
• Динамический диапазон: инкремент 1.0 дБ, полное значение динамического диапазона 15 дБ
• Смещение стока (Vdd): +65V
Преимущества, получаемые при использовании GaN-on-SiC транзисторов 1011GN-700ELM:
• Несимметричная схема подключения упрощает подбор импедансов каскадов схемы;
• Высокие выходная мощность и коэффициент усиления мощности снижают количество выходных каскадов и сложность источника питания;
• Пара транзисторов в одноступенчатой схеме усиления обеспечивает выходную мощность до 1.3 кВт, а четырёхкомпонентная схема обеспечивает до 4 кВт мощности;
• Высокое рабочее напряжение (65 В) снижает размер требуемых источников питания и величину потребляемого тока
• Высокий показатель устойчивости КПД улучшают общие показатели эффективности конечного решения
• Габариты усилителя, созданного с использованием GaN-on-SiC транзисторов, на 50 % меньше чем усилителя, разработанного на основе стандартных кремниевых биполярных или LDMOS-транзисторов.
Исполнение и доступность
Нитрид-галлиевый транзистор 1011GN-700ELM предлагается в герметично запаянном корпусе для несимметричной схемы подключения со 100% металлизацией высокотемпературным золотом, что обеспечивает долговременную надёжность, необходимую в военных применениях. Компания Microsemi предлагает демонстрационные экземпляры транзистора, которые могут быть предоставлены на срок до нескольких недель; бесплатные образцы компонента не предоставляются. Демонстрационные экземпляры транзистора 1011GN-700ELM можно заказать через официального дистрибьютора Microsemi в России - Компанию КВЕСТ.