Microsemi Corporation объявила о начале производства ещё трёх устройств из серии биполярных транзисторов с изолированным затвором NPT (non-punch through) с рабочим напряжением 1200 В: APT85GR120B2, APT85GR120L и APT85GR120J.
Транзисторы APT85GR120B2, APT85GR120L и APT85GR120J изготавливаются по технологии Power MOS 8™ компании Microsemi, применение которой позволяет снизить потери не менее чем на 20% по сравнению технологическими процессами предыдущих поколений. Транзисторы специально разработаны для применения в силовых устройствах: сварочных аппаратах, преобразователях солнечной энергии, источниках бесперебойного питания и импульсных источниках питания.
Силовые транзисторы Microsemi с рабочим напряжением 1200 В могут иметь встроенный эпитаксиальный диод с быстрым восстановлением или диод Шоттки на основе карбида кремния. Это позволяет обеспечить высокую устойчивость к dV/dt и повысить надёжность при использовании транзисторов в схемах с жёстким переключением.
Компания Microsemi также анонсировала выпуск транзистора APT85GR120JD60, выполненного в корпусе SOT-227 и содержащий встроенный 60A антипараллельный диод. Этот диод имеет ультрамалое временем восстановления и производится по собственной технологии компании Microsemi.
Основные характеристики новых силовых транзисторов компании Microsemi:
• Повышенные частоты коммутации за счет более низкого заряда на затворе Qg;
• Большая эффективность преобразования энергии, благодаря способности работать на частотах более 80 кГц;
• Положительный температурный коэффициент упрощает параллельное включение;
• Возможность работы в режиме короткого замыкания (SCWT - Short Circuit Withstand Time Rated) увеличивает надёжность конечного изделия.
Транзистор APT85GR120B2 выполнен в корпусе TO-247 MAX, в то время как транзистор APT85GR120L изготовлен в корпусе TO 264, а APT85GR120J - в корпусе SOT-227. Новые биполярные транзисторы с изолированным затвором Microsemi запущены в серийное производство. Образцы транзисторов уже доступны к поставке, вы можете заказать их в Компании КВЕСТ.