Новости

13.11
...

Радиочастотный транзистор S-диапазона 2729GN-500 Microsemi Corporation для радарных систем

Компания Microsemi Corporation представило новое устройство 2729GN-500 семейства радиочастотных транзисторов, изготовленных по технологии «нитрид галлия на карбиде кремния» (GaN-on-SiC) с пиковой выходной мощностью 500Вт для работы в S-диапазоне.

Радиочастотный транзистор Microsemi S-диапазона для радиолокационных системНовый транзистор компании Microsemi изготавливается по полупроводниковой технологии «нитрид галлия на карбиде кремния» (GaN-on-SiC), обеспечивающей более высокую надежность и большее время наработки на отказ по сравнению с традиционной технологией «нитрид галлия на подложке из кремния» (GaN-on-Si).

Транзистор 2729GN-500 обеспечивает значение пиковой мощности 500Вт, коэффициент усиления мощности 12дБ, 53-процентную эффективность стока в полосе частот от 2.7 до 2.9 ГГц - столь высокие характеристики достигнуты для получения максимальной выходной мощности одного компонента во всём представленном диапазоне частот. Транзистор 2729GN-500 предназначен для применения в мощных радарах S-диапазона авиадиспетчерской службы аэропортов. Радары наблюдения предназначены для контроля и управления движением самолётов в радиусе до 160км от аэропорта.

Основные характеристики транзистора 2729GN-500:
     • стандартный формат пакетов импульсов: 100 мкс, коэффициент заполнения 10-%;
     • пиковая выходная мощность 500Вт;
     • коэффициент усиления мощности 11.5 дБ (минимум), 12.16 дБ (типичный);
     • напряжение смещения стока (Vdd): +65В;
     • тепловое сопротивление: 0.2 °С/Вт;
     • герметичный корпус 55-KR (26.16x9.78x3.43мм)  с высокотемпературной металлизацией и золотыми внутренними межсоединениями.

Применение транзисторов, выполненных по технологии «нитрид галлия на карбиде кремния» (GaN-on-SiC) с высокой подвижностью электронов, позволяет достичь следующих преимуществ:
     • высокие выходная мощность и коэффициент усиления приводят к уменьшению количество выходных каскадов;
     • один каскад из пары транзисторов дает возможность получить 1 кВт пиковой выходной мощности с запасом, четырёхтранзисторная схема усилителя; обеспечивает получение пиковой выходной мощности в 2 кВт;
     • высокое рабочее напряжение 65 В уменьшает требуемый размер источника питания и величину потребляемого постоянного тока;
     • на 50% уменьшаются размеры усилителя по сравнению с разработками на основе кремниевых биполярных или LDMOS-транзисторов.