Компания Microsemi Corporation представило новое устройство 2729GN-500 семейства радиочастотных транзисторов, изготовленных по технологии «нитрид галлия на карбиде кремния» (GaN-on-SiC) с пиковой выходной мощностью 500Вт для работы в S-диапазоне.
Новый транзистор компании Microsemi изготавливается по полупроводниковой технологии «нитрид галлия на карбиде кремния» (GaN-on-SiC), обеспечивающей более высокую надежность и большее время наработки на отказ по сравнению с традиционной технологией «нитрид галлия на подложке из кремния» (GaN-on-Si).
Транзистор 2729GN-500 обеспечивает значение пиковой мощности 500Вт, коэффициент усиления мощности 12дБ, 53-процентную эффективность стока в полосе частот от 2.7 до 2.9 ГГц - столь высокие характеристики достигнуты для получения максимальной выходной мощности одного компонента во всём представленном диапазоне частот. Транзистор 2729GN-500 предназначен для применения в мощных радарах S-диапазона авиадиспетчерской службы аэропортов. Радары наблюдения предназначены для контроля и управления движением самолётов в радиусе до 160км от аэропорта.
Основные характеристики транзистора 2729GN-500:
• стандартный формат пакетов импульсов: 100 мкс, коэффициент заполнения 10-%;
• пиковая выходная мощность 500Вт;
• коэффициент усиления мощности 11.5 дБ (минимум), 12.16 дБ (типичный);
• напряжение смещения стока (Vdd): +65В;
• тепловое сопротивление: 0.2 °С/Вт;
• герметичный корпус 55-KR (26.16x9.78x3.43мм) с высокотемпературной металлизацией и золотыми внутренними межсоединениями.
Применение транзисторов, выполненных по технологии «нитрид галлия на карбиде кремния» (GaN-on-SiC) с высокой подвижностью электронов, позволяет достичь следующих преимуществ:
• высокие выходная мощность и коэффициент усиления приводят к уменьшению количество выходных каскадов;
• один каскад из пары транзисторов дает возможность получить 1 кВт пиковой выходной мощности с запасом, четырёхтранзисторная схема усилителя; обеспечивает получение пиковой выходной мощности в 2 кВт;
• высокое рабочее напряжение 65 В уменьшает требуемый размер источника питания и величину потребляемого постоянного тока;
• на 50% уменьшаются размеры усилителя по сравнению с разработками на основе кремниевых биполярных или LDMOS-транзисторов.