Новости

13.01
...

Силовые IGBT и MOSFET модули Microsemi в компактном корпусе для высокопроизводительных применений

Компания Microsemi выпустила новую серию силовых IGBT и MOSFET модулей, которая состоит из 38 стандартных модулей в корпусах SP1. Основное назначение этих силовых модулей - корректоры коэффициента мощности, электропривод, источники питания, инверторы и преобразователи для сварочных аппаратов.

Корпус типа SP1 для силовых IGBT и MOSFET модулей MicrosemiНовая серия силовых IGBT и MOSFET модулей Microsemi имеет высоту всего 12 мм и минимальную паразитную индуктивность, а простота монтажа обеспечивается конструкцией выводов, которые припаиваются на плату. В новых силовых модулях применена тонкая подложка с непосредственным нанесением меди на керамическую пластинку. Это обеспечивает отличное рассеяние тепла и низкое тепловое сопротивление при полной электрической изоляции с радиатором.

Новые силовые модули компании Microsemi выполнены в следующих конфигурациях: полумост, мост, понижающая и повышающая схемы. В мостовых силовых модулях эмиттеры (истоки) нижних транзисторов не соединены, что позволяет подключать датчики тока. Для слежения за температурой корпуса и защиты от превышения температуры во всех модулях встроены датчики температуры.

В силовых модулях Microsemi используются различные транзисторы: в мостах и полумостах – FREDFET; в повышающих и понижающих модулях – стандартные MOSFET, CoolMos(tm), и IGBT транзисторы типов NPT и TRENCH. В MOSFET и FREDFET транзисторах применена новейшая технология производства полевых транзисторов компании Microsemi: Power MOS8.

Силовые модули MOSFET, FREDFET и CoolMOS выпускаются на токи от 11А до 70А при Tc =80° C и для напряжений от 500В до 1200В. Модули IGBT – на токи от 20А до 150А при Tс =80°С и напряжения от 600В до 1700В.

Данные силовые модули Microsemi разработаны для промышленных применений, но они легко могут быть доработаны для использования в более жёстких условиях, например:

- для повышения теплоотдачи стандартная алюминиевая подложка может быть заменена подложкой из нитрида алюминия;

- для снижения потерь коммутации и повышения рабочей частоты быстрые диоды типа FRED могут быть заменены диодами из карбида кремния (SiC);

- для уменьшения веса и увеличения срока службы, а также для устойчивости к термоциклированию медное основание может быть заменено сплавом алюминия с карбидом кремния (AlSiC).