Новости

20.08
...

Радиочастотные VDMOS-транзисторы VRF2944 и VRF3933 компании Microsemi с рабочим диапазоном 2-60 МГц

Компания Microsemi Corporation объявила о расширении высокочастотного семейства VDMOS-транзисторов двумя более высоковольтными и более мощными компонентами VRF2944 и VRF3933, разработанными для широкополосной связи в диапазоне частот 2-60 МГц.

Радиочастотные VDMOS-транзисторы VRF2944 и VRF3933 компании MicrosemiVDMOS-транзистор VRF2944 обеспечивает 400Вт выходной мощности при напряжении питания 50В, что на 33% больше, чем у самых лучших конкурентных аналогов, включая транзистор SD2933. Его применение позволит разработчикам увеличить мощность существующих систем на те же самые 33% или уменьшить соотношение стоимость/выходная мощность в радиочастотных устройствах. Кроме того, транзистор содержит интегрированный резистор в цепи затвора, улучшающий показатель паразитного импеданса, для получения максимальной рабочей частоты 60МГц. VRF2944, как и транзистор предыдущего поколения VRF2933, может работать при напряжении питания 65В, обеспечивая при этом выходную мощность 675Вт.

Другой новый VDMOS-транзистор VRF3933 имеет напряжение питания до 100В и обеспечивает значение выходной мощности до 300Вт. Более высокое напряжение питания полевого транзистора также обеспечивает более высокий выходной импеданс компонента, который легче согласовать с нагрузкой с волновым сопротивлением 50Ом. Например, четыре транзистора VRF3933, с включением двух параллельно, и двух объединённых пар в двухтактное включение, обеспечивают получение 1.1кВт выходной мощности при 83В напряжения питания, через трансформатор с коэффициентом трансформации 4:1 на нагрузку 50Ом.

Основными применениями новых VDMOS-транзисторов являются устройства коммерческой и оборонной широкополосной радиосвязи, требующие высокой выходной мощности и уровня усиления, а также высоких параметров надёжности, конструктивной прочности и интермодуляционных искажений.

Предельные параметры транзисторов VRF2944 / VRF3933:
     • Напряжение сток-исток VDSS: 170В / 250В;
     • Ток стока ID: 50А / 20А;
     • Напряжение затвор-исток: VGS ±40В / ±40В;
     • Максимальная мощность: PD 795Вт / 648Вт.

Основные особенности:
     • Более высокое напряжение питания транзистора по сравнению с конкурентными компонентами для получения более высокого значения параметра выходной мощности: Pout пропорциональна V2;
     • Более высокая надёжность компонента за счёт азотного пассивирования кристалла;
     • Для повышения надёжности используется золочение корпуса и проволочных соединений.