Новости

12.09
...

Транзистор MDSGN-750ELMV компании Microsemi 1030/1090 МГц для радиолокационного оборудования

Компания Microsemi Corporation представила новый 750 Вт радиочастотный транзистор с высокой подвижностью электронов MDSGN-750ELMV для авиационных применений, выполненный по нитрид-галлиевой технологии на подложке из карбида кремния (GaN-on-SiC HEMT).

Транзистор MDSGN-750ELMV компании Microsemi 1030/1090 МГц для радиолокационного оборудованияТранзистор MDSGN-750ELMV разработан для создания радиолокационных устройств авиационных служб и оборудования предотвращения столкновений самолётов в воздухе. Его целевым назначением являются вторичные радары наблюдения (обзорная РЛС с активным ответом), применяемые в соответствии с международными стандартами для опроса и идентификации самолётов непосредственно вблизи аэропортов и их 200-мильной зоне.

Радиочастотный транзистор MDSGN-750ELMV позволяет получить 750 Вт пиковой мощности, 17 дБ коэффициента усиления мощности и типовым значением КПД стока 70% при работе на частотах 1030/1090 МГц, обеспечивая при этом наивысшую мощность среди однотранзисторных устройств своего класса в данном диапазоне частот.

Кроме того, новый транзистор может работать в режиме Mode-S ELM как в опрашивающих устройствах диапазона 1030 МГц наземного базирования, так и в бортовых транспондерах, работающих на частоте 1090 МГц, а также может быть использован в выходных каскадах высокопроизводительного наземного оборудования. Применение устройств, работающего в стандарте ELM, делает авиаперевозки более безопасными, облегчая совместную передачу погодной информации с информацией о воздушной обстановке в районе полёта на борт воздушного судна. MDSGN-750ELMV применяется для создания оборудования информирования о воздушной обстановке, в системах предотвращения столкновений и определения «свой-чужой».

Основные характеристики транзистор MDSGN-750ELMV компании Microsemi:
     • Работа в импульсном режиме ELM:
          - посылка из 48 импульсов: 32 мкс (вкл.) / 18 мкс (выкл.)
          - период повтора посылок: 24 мс
          - долгосрочный коэффициент заполнения: 6.4%
     • Выходная мощность: 750 Вт;
     • Коэффициент усиления мощности: более 17.2 дБ (минимальное значение);
     • Высокий КПД: 70%;
     • Напряжение смещения стока: +50 В;
     • Напряжение пробоя: более 200 В;
     • Низкое тепловое сопротивление: 0.24 °С/Вт;
     • Температурная стабильность выходной мощности (в диапазоне от -40°C до +85°C): менее ±0.7 дБ.

Применяемая в процессе производства транзистора MDSGN-750ELMV технология GaN-on-SiC имеет ряд преимуществ перед альтернативными технологическими процессами: более высокую мощность, сокращение списка дополнительных используемых компонентов и уменьшение общего размера разработки. Сам транзистор MDSGN-750ELMV имеет следующие преимущества:
     - Асимметричная топология транзистора со сниженными требованиями к согласованию импеданса (нагрузки), может быть использована для замены разработок предыдущих поколений;
     - Наивысшие пиковая мощность и коэффициент усиления дают возможность уменьшить количество компонентов выходного каскада и число каналов оконечного усилителя мощности;
     - Одна пара транзисторов выходного каскада обеспечивает пиковую выходную мощность равную 1.5 кВт;
     - Объединение в выходном каскаде четырёх пар транзисторов позволяет обеспечить пиковую выходную мощность радиолокационного устройства более 5 кВт;
     - Уровень напряжения смещения 50В позволяет отказаться от изменения напряжения шины источника питания и предлагает сниженные требования потребления источника постоянного тока;
     - Чрезвычайно стабильные параметры транзистора улучшают общие характеристики конечного устройства;
     - Размер готового усилителя на 50% меньше размера усилителей, выполненных с применением биполярных и и LDMOS-транзисторов;
     - Значительно больший запас уровня напряжения пробоя, по сравнению с компонентами, выполненными по кремниевой и Si LDMOS технологиям, а также возможность работы при более высоких температурах перехода увеличивают значение показателя наработки на отказ;
     - Хорошая стабильность параметров во всём рабочем температурном диапазоне: -55°C...+85°C.

Транзистор MDSGN-750ELMV выполнен в асимметричном корпусе 55KR со 100-% высокотемпературной золотой металлизацией корпуса и выводов с герметичным исполнением, обеспечивающим максимальный уровень долгосрочной надёжности.