Новости

22.01
...

Радиационно стойкие MOSFET транзисторы, выполненные по технологии I2MOS компании Microsemi

Компания Microsemi объявила о начале поставок образцов прототипов радиационно стойких MOSFET транзисторов нового поколения для космических применений.

Радиационно стойкие MOSFET транзисторы, выполненные по технологии I2MOS компании MicrosemiНовая линейка MOSFET транзисторов, выполненных по технологии I2MOS компании Microsemi, предоставляет разработчикам самые последние технологические улучшения в области радиационно стойких транзисторов, предназначенных для применения в космическом оборудовании. Предварительное тестирование транзисторов серии I2MOS показало существенные улучшения показателей стойкости к эффекту единичного события и суммарной накопленной дозы по сравнению с существующими технологиями. Транзисторы новой серии оценочно показывают уровень линейной потери энергии при единичных событиях от 85-90 МэВ. N-канальный MOSFET транзистор MRH20N22U3 на 200В, выполненный по технологии I2MOS прошёл тестирование на эффект единичного события ионами золота при полном напряжении Bvdss 200В и уровнях напряжения Vgs -5 и -10В.

С декабря 2013 г. уже доступны образцы следующих компонентов:

Microsemi

QPL

BVdss, В

Корпус

Тип канала

MRH03N22U3

JANSR2N7479U3

30

SMD 0.5

N

MRH06N22U3

JANSR2N7480U3

60

SMD 0.5

N

MRH10N22U3

JANSR2N7587U3

100

SMD 0.5

N

MRH20N22U3

JANSR2N7591U3

200

SMD 0.5

N

До конца 2014 г. запланирован запуск транзисторов семейства I2MOS в серийное производство. В дальнейшем представленные компоненты будут выпускаться в корпусах форм-факторов TO-39 и TO-257. Все устройства показывают превосходящие самые высокие электрические и радиацонно стойкие технические характеристики.