Новости

23.04
...

Транзистор 2731GN-10V компании Microsemi для радаров S-диапазона, выполненный по технологии GaN-on-SiC

Microsemi Corporation объявила о начале серийных поставок транзисторов 2731GN-10V с выходной мощностью 10 Вт, предназначенных для импульсных радаров, работающих в диапазоне 2700-3100МГц.

Транзистор 2731GN-10V компании Microsemi для радаров S-диапазонаВысокочастотный транзистор 2731GN-10V является внутренне согласованным компонентом с высокой подвижностью электронов класса AB, выполненным по технологии GaN-on-SiC (нитрид галлия на подложке из карбида кремния). Он позволяет обеспечить коэффициент усиления более 10 дБ и уровень импульсной РЧ выходной мощности более 10 Вт при ширине импульса 300 мкс и 10%-ым коэффициентом заполнения для всей рабочей полосы частот в диапазоне 2.7-3.1 ГГц. Транзистор внутренне согласован для эффективного получения оптимального уровня рабочих характеристик.

Транзистор выпускается СВЧ-подразделением компании Microsemi в герметичном корпусе форм фактора 55-QP и специально разработан для применения в разработках импульсных радаров S-диапазона. Применение при его производстве металлизация золотом, а также пайка эвтектическими сплавами позволяет получить высокую надёжность и отличную механическую прочность конструкции.

Основные характеристики радарного транзистора 2731GN-10:
     • Мощность рассеяния компонента (при 25C): 25Вт
     • Напряжение сток-исток (VDSS): 150В
     • Напряжение затвор-исток (VGS): -8...+0В
     • Температура хранения: от -55 до +125°C
     • Рабочая температура перехода: +250°C.