Microsemi Corporation представила новое семейство карбидокремниевых MOSFET транзисторов, нормированных на рабочее напряжение 1200В, для применения в силовых промышленных устройствах, особо требовательных к высокому уровню КПД: солнечные инверторы, электромобили, сварочные установки и медицинские устройства.
Новые карбидокремниевые MOSFET транзисторы Microsemi позволяют инженерам быстрее и проще разрабатывать решения, работающие на более высокой частоте и, как результат, повышающие эффективность системы в целом. Технологические особенности SiC MOSFET транзисторов Microsemi включают в себя:
• Одну из лучших в своём классе зависимость сопротивления открытого канала от температуры;
• Сверхнизкое сопротивление затвора, минимизирующее потери на коммутацию;
• Высокая максимальная частота коммутации;
• Высокий уровень устойчивости к короткому замыканию.
Параметры 1200В карбидокремниевых MOSFET транзисторов компании Microsemi нормированы при сопротивлении открытого канала 80 и 50 мОм и предоставляют потребителям значительную гибкость разработки, поскольку производятся в корпусах промышленного стандарта TO-247 и SOT-227. Линейка новых высоковольтных SiC MOSFET транзисторов Microsemi включает в себя:
• APT40SM120B, 1200В, 80мОм, 40А, корпус TO-247;
• APT40SM120J, 1200В, 80мОм, 40А, корпус SOT-227;
• APT50SM120B, 1200В, 50мОм, 50А, корпус TO-247;
• APT50SM120J, 1200В, 50мОм, 50А, корпус SO-227.
Новые 1200В карбидокремниевые MOSFET транзисторы на текущий момент доступны для поставки в корпусах форм фактора TO-247, а с июля 2014 года Microsemi планирует начать производство в корпусах SOT-227.
Cиловые модули на основе карбидокремниевых MOSFET транзисторов
SiC MOSFET транзисторы используются при производстве силовых модулей Microsemi, которые применяются в устройствах зарядки аккумуляторов, авиационных разработках, солнечной энергетике, сварочном оборудовании и других мощных индустриальных устройствах. Такие силовые модули обеспечивают более высокую рабочую частоту и улучшают общую системную эффективность.
Новые 1700В диоды Шоттки
Карбидокремниевые MOSFET транзисторы компании Microsemi дополнены законченной линией SiC диодов Шоттки. 1700В карбидокремниевые диоды Шоттки расширяют предложение компании за номиналы рабочих напряжений 1200В и 650В. Диоды разработаны с использованием высококачественной технологии пассивации, используемой для повышения прочности изделий при их использовании вне помещений и условиях повышенной влажности.
Компания Microsemi активно развивает технологии производства высоковольтных карбидокремниевых полупроводниковых компонентов. По данным консалтинговой компании Yole Développement, рынок силовых карбидокремниевых полупроводниковых приборов будет увеличиваться со скоростью до 39% в год с 2015 до 2020 гг., а аналитики ожидают рост рынка карбидокремниевых компонентов 38% в год до 5.3 миллиардов долларов США к 2022 г.