Microsemi Corporation представила выполненный по технологии GaN-on-SiC транзистор 1416GN-600V, предназначенный для разработок импульсных радаров и авиационных применений.
Изготовленный по технологии «Нитрид галлия на подложке из карбида кремния» (GaN-on-SiC), компонент 1416GN-600V является внутренне согласованным транзистором с высокой подвижностью электронов класса AB. Он обеспечивает усиление до 16.8 дБ и уровень импульсной выходной радиочастотной мощности 600 Вт при ширине импульса 300 мкс и 10%-ым коэффициентом заполнения во всей полосе частот 1400-1600 МГц. Транзистор внутренне согласован для эффективного получения оптимального уровня рабочих характеристик.
Высоконадёжный транзистор 1416GN-600V выпускается в герметичном корпусе 55-KR и разработан инженерами компании Microsemi специально для использования в импульсных радарах и авиационных разработках. Применение при его производстве металлизация золотом, а также пайка эвтектическими сплавами позволяет предоставить разработчикам компонет с высокой надёжностью и отличной механической прочностью конструкции.
Основные характеристики транзистора 1416GN-600V:
• Максимальная рассеиваемая мощность (при 25°C): 1200Вт
• Напряжение сток-исток (VDSS): 150В
• Напряжение затвор-исток (VGS) -8...+0В
• Температура хранения (TSTG): от -55 до +125°C
• Рабочая температура перехода: +250°C.