Новости

04.07
...

Радиационно-стойкие MOSFET транзисторы Microsemi прошли тестирование в университете TAMU

В техасском университете A&M (TAMU) проведено тестирование двух радиационно-стойких MOSFET транзисторов MRH20N19U3 и MRH15N19U3 нового поколения компании Microsemi, которое продемонстрировало их превосходные характеристики.

Радиационно-стойкие MOSFET транзисторы Microsemi прошли тестирование в университете TAMUРадиационно-стойкие компоненты выполнены по технологии I2MOS компании Microsemi и имеют отличные показатели в стойкости к эффекту единичного воздействия ТЗЧ на максимальных рабочих напряжениях. Результаты тестирования показали, что транзисторы способны работать во всём диапазоне рабочих уровней напряжения смещения стока (VD bias) в условиях воздействия ТЗЧ с величиной линейной передачи энергии (ЛПЭ) равной 85.

MOSFET транзистор MRH20N19U3 с рабочим напряжением 200В прошёл тестирование на стойкость к эффекту единичного воздействия ионами Au при Vgs=-5В, -10В и -15В. Деградации не наблюдалось до уровня Vgs=-20В. Разработчики могут использовать полное рабочее напряжение транзистора для расчёта максимальных параметров схем, поскольку теперь нет необходимости в специальном уменьшении параметров MRH20N19U3.

На рисунке также приведены параметры другого радиационно-стойкого транзистора MRH15N19U3, протестированного в TAMU, имеющего рабочее напряжение 150В с аналогичными результатами для эффекта единичного воздействия ТЗЧ.