Новости

16.05
...

Microsemi добавила в линейку силовых устройств интеллектуальные IGBT модули

Корпорация Microsemi – ведущий мировой разработчик современных полупроводниковых технологий, объявляла о запуске в производство новой линейки стандартных силовых интеллектуальных IGBT модулей в конфигурации полумост, которая включает пять моделей, позволяющих упростить разработку систем электропитания. Все модули доступны в тонком корпусе собственной разработки компании - LP8.

Интеллектуальные силовые IGBT модули Microsemi в корпусе LP8Интеллектуальные IGBT модули Microsemi предназначены для работы в широком диапазоне применений, от управления электроприводом, где требуется высокий выходной ток с низкой рабочей частотой, до высокочастотных преобразователей, где потери на переключение должны оставаться минимальными. Применение интеллектуальных силовых IGBT модулей Microsemi позволяет избавить разработчика от затрат времени на реализацию схем управления и настройку выходных параметров и помогает сфокусироваться на процессе оптимизации всей системы в целом.

Силовые IGBT модули Microsemi доступны в версиях с рабочими напряжениями 600 В для европейского и российского рынков, где преобладают электрические линии переменного тока 220В, и напряжениями 1200В для североамериканского рынка, где используются электрические линии переменного тока 480 и 575 В.

Стандартные силовые IGBT модули Microsemiм в конфигурации «полумост» способны работать с токами от 300 до 400А при температуре корпуса 80°С и содержат в своем составе оптически изолированный драйвер для каждого ключа. Силовые IGBT модули также включают преобразователь постоянного тока для питания второго контура - схемы управления с положительным или отрицательным уровнем напряжения смещения затвора. Это гарантирует хорошую устойчивость системы к шуму, особенно в случаях использования быстрых IGBT транзисторов.

Встроенный преобразователь постоянного тока способен работать от того же внешнего питающего напряжения уровня 5В, от которого питается микроконтроллерная схема для формирования сигналов управления силовым IGBT модулем. Также в силовых IGBT модулях Microsemi доступны дополнительные функции, позволяющие оптимизировать безопасность и надёжность устройств, они спроектированы для работы в частотном диапазоне от 10 до 50кГц в зависимости от используемой технологии производства IGBT транзисторов.

На сегодня доступны образцы силовых IGBT модулей Microsemi для различных уровней напряжений, включающие модели интеллектуальных IGBT модулей APTLGF300A1208G и APTLGF350A608G с технологией Non-Punch-Through (NPT) IGBT и APTLGT300A1208G, APTLGL325A1208G и APTLGT400A608G с технологией trench IGBT.