Новости

10.06
...

Компания Semtech представила интеллектуальное ядро интерфейса физического уровня Snowbush 28 нм

Semtech Corporation сегодня объявила об успешном завершении тестирования соответствия своего интеллектуального ядра физического уровня 28 нм платформы Snowbush требованиям спецификации Hybrid Memory Cube (HMC) для разработки сверхбыстрой памяти следующего поколения.

Компания Semtech представила интеллектуальное ядро интерфейса физического уровня Snowbush 28 нмРазработанная компанией Semtech платформа интеллектуальных ядер Snowbush удовлетворила требования функциональной совместимости стандарта HMC с существенным запасом и прошла строгое тестирование, требуемое компанией Micron, разработчиком-основателем спецификации HMC. Это гарантирует совместимость и позволяет разработчикам систем начать разработку блоков ввода-вывода, поддерживающих стандарт HMC в их специализированных ИС и СнК. Проведённое тестирование освобождает разработчиков специализированных ИС или СнК от проведения их собственной проверки и облегчает использование интерфейса в ИС системного уровня.

В настоящее время компания Micron поставляет ИС памяти стандарта HMC, а Semtech Corporation представляет платформу интеллектуальных ядер Snowbush компаниям, желающим её интегрировать в их ИС системного уровня для реализации высокоскоростного канала к микросхеме памяти.

Стандарт HMC отрасль восприняла в качестве долгожданного ответа на ограничения эффективности и потребляемой мощности, накладываемые технологиями традиционной памяти. С возможностью получения в 15 раз большей пропускной способности модуля памяти стандарта DDR3, и с меньшим на 70% энергопотреблением, на 90% меньшим занимаемым пространством, чем существующие технологии, абстрактная память стандарта HMC позволяет разработчикам посвятить больше времени инновационным особенностям и производительности данной технологии и затратить меньшее количество времени, разбираясь со множеством параметров памяти, требуемых для реализации основных функций. Кроме того, стандарт HMC описывает процессы устранения ошибок, поддержания отказоустойчивости, обновления содержимого и другие параметры, зависимые от изменения технологического процесса производства памяти.