Корпорация Microsemi – ведущий мировой разработчик современных полупроводниковых технологий, - объявила о выпуске новых стандартных силовых модулей с применением устройств на основе карбида кремния (SiC) во всех диодах и нормально разомкнутых полевых транзисторах с управляющим p-n-переходом (JFET).
Ранее Корпорация Microsemi предлагала только заказные модули, полностью построенные на основе карбидокремниевой технологии, теперь же эта технология доступна и в стандартных продуктах Microsemi.
SiC силовой модуль APTJC120AM13VCT1AG в конфигурации «полумост» предоставляет заказчикам более высокопроизводительную альтернативу широкому ассортименту полностью кремниевых решений. Новые силовые модули способны работать со значительно более высокими температурами перехода по сравнению с устройствами, использующими кремниевые IGBT или полевые транзисторы, и позволяют снизить потери на переключение на 10% по сравнению с устройствами на кремниевых полевых транзисторах и на 40% по сравнению с устройствами на основе кремниевых IGBT транзисторов.
Стандартные SiC силовые модули предназначены для использования в сварочных преобразователях, импульсных и бесперебойных источниках питания, системах управления электроприводом, которые применяются в системах солнечной энергетики, автомобильной промышленности, военной и аэрокосмической сфере, медицинском оборудовании и в других требовательных применениях.
К преимуществам карбидокремниевого стандартного силового модуля Корпорации Microsemi можно отнести очень низкую паразитную индуктивность, высокие уровни интеграции и лучшие тепловые характеристики переход-корпус. В модуле используются диоды на 30 А и восемь 50 мОм транзисторов JFET. Рабочее напряжение составляет 1200 В, а сопротивление в открытом состоянии RDS(on) - 13 мОм.
Данные силовые модули спроектированы в соответствии с директивой RoHS и выпускаются в тонком изолированном корпусе с возможностью монтажа непосредственно на радиатор.
В настоящее время доступны готовые образцы модуля APTJC120AM13VCT1AG.
Начало серийного производства стандартных силовых модулей Microsemi с применением устройств на основе карбида кремния намечено на третий квартал 2011 года.