Компания Microsemi объявила о продолжении исследовательских работ по созданию второго поколения своих радиационно-стойких MOSFET транзисторов семейства I2MOS.
В ходе тестирования, проведённого в Техасском университете A&M, новые компоненты линейки I2MOS показали рабочее значение суммарной накопленной дозы до 300 крад и устойчивость к эффекту воздействия ТЗЧ более 85 МэВ. На рисунке приведены характеристики радиационно-стойких MOSFET транзисторов компании Microsemi, полученные лабораторией TAMU в ходе тестирования при значении рабочего напряжения 200 В.
В настоящее время разработчикам доступны тестовые образцы MOSFET транзисторов семейства I2MOS с рабочим напряжением 150 и 200В. Для других значений напряжений подразделение радиационно-стойких компонентов компании Microsemi выпустит опытные образцы компонентов в течение 2014-2015 годов. Стоит отметить, что план по выпуску включает устройства с рабочими напряжениями, лежащими в диапазоне от 30 до 250 В.
Разработчикам высоконадёжного и космического оборудования компания Microsemi может предоставить бесплатные готовые образцы (до четырех модулей одному заказчику), для чего следует обратиться с соответствующим запросом к официальному представителю Microsemi в России.