Новости

06.04
...

Широкополосный транзистор DC35GN-15-Q4 компании Microsemi с рабочим диапазоном частот до 3.5 ГГц

Microsemi Corporation представила выполненный по технологии GaN-on-SiC радиочастотный транзистор DC35GN-15-Q4, предназначенный для разработки устройств, работающих в импульсном и непрерывных режимах.

Широкополосный транзистор DC35GN-15-Q4 компании Microsemi с рабочим диапазоном частот до 3.5 ГГцDC35GN-15-Q4 является 15 Вт / 50 В транзистором с высокой подвижностью электронов (HEMT), разработанным на основе технологии «Нитрид галлия на подложке из карбида кремния». Он предназначен для работы в широкополосных схемах класса AB с общим истоком, в импульсных и непрерывных силовых применениях.

Новый компонент выпускается компанией Microsemi с использованием металлизации золотом в корпусе форм-фактора QFN на медном основании с высокой удельной теплопроводностью с температурой хранения от -55 до +125°С.

Основные особенности транзистора DC35GN-15-Q4:
     • Диапазон рабочих частот: от 0 до 3.5 ГГц;
     • Области использования: импульсные радары, авиационная радиоэлектроника, оборудование ISM-диапазона и устройства, работающие в непрерывном радиочастотном режиме;
     • Мощность 15 Вт, усиление мощности 18 дБ при 1.4 ГГц;
     • Бюджетный корпус форм-фактора QFN размерами 4х4 мм.