Новости

15.06
...

SiC диод Шоттки XTR1K1210 компании X-REL Semiconductor для экстремальных температур

Компания X-REL Semiconductor представила XTR1K1210 - карбидокремниевый диод Шоттки модификации 4H-SiC с максимальной рабочей температурой перехода +250°C, обеспечивающего работу в диапазоне температур от -60°C до +230°C.

SiC диод Шоттки XTR1K1210 компании X-REL Semiconductor для экстремальных температурКарбидокремниевый диод XTR1K1210 обладает нулевой энергией обратного восстановления, что позволяет успешно применять его в высокочастотных и высокоэффективных силовых схемах, при этом компонент предъявляет минимальные требования к охлаждению.

Целью разработки компанией X-REL Semiconductor данного силового диода были снижение стоимости конечной схемы и сокращение времени адаптации компонента. Он доступен в упрочнённом корпусе для сквозного монтажа, а также в виде некорпусированных кристаллов.

Основные особенности SiC диода Шоттки XTR1K1210:
     • Диапазон рабочих температур: от -60°C до +230°C
     • Обратное напряжение до 1200 В
     • Прямое напряжение падения, при If=10A:
          - Vf = 1.7 В, при +25°C
          - Vf = 3.7 В, при +230°C
     • Положительный температурный коэффициент для безопасной работы и простого параллельного включения
     • Чрезвычайно быстрое время переключения, не зависящее от температуры
     • Фактически нулевое время обратного и прямого восстановления
     • Высокопрочный корпус TO-257 для сквозного монтажа.

Возможные области применения:
     • Высоконадёжные разработки, автомобильные устройства, авиация, скважинное оборудование.
     • Преобразователи напряжения, электроприводы, импульсные источники питания, ККМ (корректоры коэффициента мощности).

Варианты корпусирования SiC диода Шоттки XTR1K1210