Microsemi Corporation представила ИС LX2410A IDEAL – шунтирующий компонент солнечных батарей, использующий запатентованную технологию CoolRUN и предназначенный для создания обходного пути в устройствах фотогальванических модулей.
ИС LX2410A является одним из компонентов линейки шунтирующих элементов солнечных батарей, выпускаемых компании Microsemi. Применение LX2410A позволяет уменьшить стоимость готового изделия и повысить надёжность солнечных батарей. Эти устройства обеспечивают уникальные преимущества перед конкурирующими решениями, включая более тонкий корпус и более высокую устойчивость к воздействию молний.
Высокоточные фотоэлектрические батареи требуют использования шунтирующей цепи для протекания тока в качестве защитного механизма, дающего возможность работы комплекса при выходе из строя или переходе в теневую зону одного из фотоэлементов. В настоящее время ИС LX2410A компании Microsemi является единственным двунаправленным компонентом защиты от перенапряжения, предназначенным для работы с максимальным током помех 500 А в прямом и обратном направлении, повышая общую надёжность системы.
Тонкий корпус LX2410A с максимальной толщиной всего 0.7 мм разработан для монтажа внутри солнечных панелей. Такое решение делает возможным создание фотоэлектрических модулей с большей мощностью и меньшими размерами. Выводы корпуса ИС располагаются на расстоянии 2.6 мм, что позволяет соответствовать требованиям стандартов IEC61730-1 и IEC61730-2 относительно значений тока утечки по поверхности диэлектрика и зазоров.
В отличие от применяемых в солнечных батареях диодов Шоттки, ИС LX2410A является активным элементом, который обладает чрезвычайно низким значением напряжения падения и обратным током утечки, что приводит к повышению результирующей выходной мощности солнечной батареи, незначительному повышению её температуры во время работы. Применённая технология снижения импульсных помех CoolRUN устраняет электромагнитные помехи от линий фотоэлектрических батарей.
Основные особенности ИС LX2410A компании Microsemi:
• Максимальный ток: 12.5A;
• Небольшое прямое напряжение падения: Vf 95 мВ при If 10 A;
• Низкий уровень обратного тока утечки: Ir 12.5 мкА при Vr 33 В;
• Устойчивость к импульсам до 500 А в соответствии с IEC 61000-4-5, часть 6.1;
• Обратное напряжение: до 33 В;
• Высокая степень защиты от электростатических разрядов.