Новости

24.02
...

IGBT-транзисторы APT для применения в аппаратах дуговой сварки

Компания Advanced Power Technology (APT) представила два новых устройства, специально разработанных для применения в сварочных аппаратах дуговой сварки вольфрамовым электродом в среде инертного газа (сварка ВИА): APT200GN60J и APT200GN60JDQ4.

Устройство Microsemi в корпусе SOT-227Данные дискретные биполярные силовые транзисторы с изолированным затвором построены с использованием технологии последнего поколения компании Advanced Power Technology Field Stop Trench Gate Technology и представлены в стандартных корпусах SOT-227.

Транзисторы APT200GN60J и APT200GN60JDQ4 были специально разработаны инженерами компании APT для применений в сварочных аппаратах для сварки ВИА и дополняют собой новую линию дискретных транзисторов Field Stop IGBT. APT200GN60J - это одиночный IGBT, а APT200GN60JDQ4 дополнительно содержит антипараллельный сверхбыстрый диод, рассчитанный на максимальный ток 100А. Доступны версии с другими антипараллельными диодами.

Основные параметры IGBT-транзисторов компании APT для дуговой сварки:

  • Высокий КПД, низкие потери проводимости;
  • Высокий рабочий ток;
  • Упрощено параллельное включение транзисторов благодаря небольшому разбросу параметров и положительному температурному коэффициенту;
  • Широкий диапазон области безопасной работы, уверенная работа в линейном режиме;
  • Возможность выдержать короткое замыкание в течение 10µс;
  • Использование технологии Field Stop обеспечивает уменьшение хвостового тока, что позволяет использовать транзисторы на частотах коммутации до 30 кГц в режиме жесткого переключения;
  • Недорогая альтернатива использованию модулей в высокоточных применениях.

 

Применения биполярных транзисторов APT200GN60J и APT200GN60JDQ4:

Новые силовые IGBT-транзисторы используются в инверторах сварочных аппаратов ВИА. Так же эти IGBT-транзисторы могут использоваться для других применений, где критичными параметрами являются низкие потери проводимости при высоких рабочих токах, работающих с частотами коммутации от 0 до 30 кГц.