Новости

15.11
...

GaN транзистор с пиковой мощностью 1600 Вт 1011GN-1600VG компании Microsemi для радарных систем

Microsemi Corporation представила мощный GaN транзистор 1011GN-1600VG L-диапазона, обеспечивающий более 1600 Вт импульсной мощности с усилением более 18.6 Дб и КПД более 70%.

GaN транзистор с пиковой мощностью 1600 Вт 1011GN-1600VG компании Microsemi для радарных системОн разработан для применения в импульсных режимах Mode-S ELM и IFF с рабочими частотами 1030/1090 МГц. Транзистор предварительно внутренне согласован для получения оптимальных характеристик. При его производстве используются золотая металлизация и эвтектические соединения с целью получить самый высокий уровень надёжности и отличную механическую прочность. Выходной каскад с наилучшими параметрами массы, размера, выходной мощности может быть получен благодаря небольшому посадочному месту компонента и несимметричному корпусу промышленного стандарта Gemini размером 0.40х1.61”.

Основные характеристики транзистора 1011GN-1600VG компании Microsemi:
       ● Рабочие частоты 1030/1090 МГц;
       ● Выходная пиковая мощность 1600 Вт;
       ● Параметры импульса: Т=32 мкс, 2% DC;
       ● Коэффициент усиления: 18.6 дБ;
       ● Напряжение питания 50/52 В;
       ● Диапазон температуры хранения: от -55 до +125°C.