Новости

25.10
...

Карбидокремниевый N-канальный силовой 1200В транзистор MSC040SMA120B компании Microsemi

Компания Microsemi представила SiC MOSFET транзистор MSC040SMA120B, обладающий улучшенными тепловыми параметрами и низкими коммутационными потерями.

Карбидокремниевый N-канальный силовой 1200 В транзистор MSC040SMA120B компании MicrosemiПредставленный МОП-транзистор является представителем нового семейства карбидокремниевых компонентов компании Microsemi, которые предлагают клиентам значительные преимущества по сравнению с конкурирующим предложениями. Он предназначен для применения в широком спектре промышленного оборудования: фотоэлектрические инверторы, преобразователи, электроприводы, интеллектуальные сети распределения электроэнергии, индукционный нагрев и сварка, а также зарядные устройства электромобилей.

Стоит отметить, что высокий КПД устройства позволяет создавать лёгкие и малогабаритные системы, он легко управляется при параллельном включении, не требует применения внешнего диода обратной цепи, а также обладает улучшенными тепловыми параметрами и низкими коммутационными потерями в широком диапазоне температур от -55˚С до +175˚С.

Основные особенности транзистора MSC040SMA120B компании Microsemi:
     ● Низкая ёмкость и низкий заряд затвора;
     ● Высокая скорость коммутации благодаря низкому внутреннему сопротивлению затвора;
     ● Устойчивая работа при высокой температуре перехода кристалла;
     ● Быстрый и надёжный встроенный диод;
     ● Отличная стойкость к лавинному пробою;
     ● Соответствует требованиям директивы RoHS.

Основные параметры SiC MOSFET транзистора Microsemi:
     ● Напряжение сток-исток: 1200 В;
     ● Максимальный постоянный ток при температуре T = 25 °С: 64 А;
     ● Максимальный постоянный ток при температуре T = 100 °C: 45 А;
     ● Максимальный импульсный ток: 105 А;
     ● Напряжение затвор-исток: от -10 до 25 В;
     ● Сопротивление открытого канала: 40 мОм;
     ● Прямое падение встроенного диода: 3,9 В;
     ● Время восстановления обратного диода: 100 нс.