Microsemi Corporation представила карбидокремниевый диод Шоттки с нулевым временем восстановления MSC010SDA070B.

SiC диод Шоттки с нулевым временем восстановления MSC010SDA070B компании MicrosemiПредставленный SiC диод Шоттки принадлежит к новому поколению карбидокремниевых устройств, представленному компанией Microsemi в 2018 г. Применение MSC010SDA070B в новых разработках позволит увеличить частоту переключений, повысить плотность мощности конечного решения, уменьшить потери коммутации, а также обеспечить низкий уровень шумов переключения.

К основным особенностям карбидокремниевого диода Шоттки MSC010SDA070B, выпускаемого в корпусе TO-247, можно отнести нулевое время обратного восстановления / нулевое время прямого восстановления, низкое прямое напряжение падения, небольшой ток утечки, а также нормированную энергию лавинного пробоя.

Абсолютные максимальные значения:
     ● Максимальное постоянное обратное напряжение: 700 В
     ● Максимальное пиковое повторяющееся обратное напряжение: 700 В
     ● Максимальное рабочее пиковое обратное напряжение: 700 В
     ● Максимальный постоянный прямой ток:
          - при TC = 25 °C: 23 А
          - при TC = 135 °C: 10 А
          - при TC = 145 °C: 8 А
     ● Повторяющийся прямой пиковый ток (TC = 25 °C, tp = 8.3 миллисекунд, полуволна): 34 А
     ● Однократный прямой пиковый ток (TC = 25 °C, tp = 8.3 миллисекунд, полуволна): 58 А
     ● Мощность рассеивания:
          - при TC = 25 °C: 83 Вт
          - при TC = 110 °C: 36 Вт
     ● Диапазон рабочих температур и диапазон температур хранения:  от -55°C до +175 °C
     ● Температура пайки в течении 10 с: 300 °C
     ● Максимальная энергия единичного импульса (при TJ = 25 °C, L = 2.0 мГн, пиковый IL = 10 A): 100 мДж

Возможные применения SiC диода Шоттки MSC010SDA070B компании Microsemi:
     ● Корректоры коэффициента мощности
     ● Антипараллельный диод
     ● Диод обратной цепи
     ● Демпферный/ограничительный диод.