Новости

28.03
...

Силовые IGBT-транзисторы технологии Field Stop Trench Gate компании APT

Компания Advanced Power Technology (APT) - признанный лидер в производстве силовых дискретных устройств, - представляет новое поколение IGBT-транзисторов Field Stop Trench Gate.

Field Stop TrenchУ новых IGBT-транзисторов APT падение напряжения коллектор-эммитер в открытом состоянии этих устройств значительно ниже по сравнению с предыдущим поколением IGBT - NPT. Они разработаны для использования в режимах жёсткого и мягкого переключения на частотах до 20кГц и 30кГц соответственно.

IGBT-транзисторы семейства Field Stop устойчивы к коротким замыканиям. Благодаря малому разбросу напряжения коллектор-эммитер и положительному температурному коэффициенту напряжения IGBT-транзисторы Field Stop удобны для использования в параллельных соединениях. Технология Field Stop практически устранила хвостовой ток и внесла дополнительные возможности при использовании транзисторов в резонансных конфигурациях.

Ключевые особенности IGBT-транзисторов Field Stop Trench Gate:
     - Очень низкие потери проводимости при высоких значения тока;
     - Удобны при использовании в параллельных конфигурациях;
     - Малый хвостовой ток благодаря технологии Field Stop;
     - Устойчивы к коротким замыканиям.

Применение IGBT-транзисторов Field Stop Trench Gate компании APT:

IGBT-транзисторы разработаны для использования в драйверах управления электродвигателями, сварочных аппаратах, оборудовании плазменной резки, в источниках бесперебойного питания, индукционных печах и других устройствах, где делается основной акцент на низкие потери проводимости.