Новости

19.12
...

Мощные транзисторы P-диапазона компании APT с выходной мощностью 60, 150 и 300Вт

Отделение компании Advanced Power Technology RF’s Military & Aerospace Division (APT-RF) - ведущего производителя мощных кремниевых транзисторов, применяемых в высокочастотном и сверхвысокочастотном диапазоне частот, - представляет новое семейство транзисторов большой мощности, разработанное для прикладных задач, решаемых импульсными радарами P-диапазона.

Транзистор APT P-диапазона 0910-300MУсовершенствованные технологические процессы и новейшая конструкция кристалла этих ВЧ/СВЧ транзисторов позволяет предложить эксплуатационные характеристики, соответствующие самым современным достижениям, особенно в режимах большой мощности, большого коэффициента усиления во всём диапазоне частот и наименьшего спада импульса при длительности импульса 150 мс.

Серии P-диапазонных транзисторов APT содержат модификации трёх типов: 0910-60M, 0910-150M, и 0910-300M, которые охватывают частотный диапазон 890-1000 МГц, используемый в прикладных задачах, решаемых импульсными радарами P-диапазона, с выходной импульсной мощностью 60Вт, 150Вт и 300Вт соответственно. Эти ВЧ/СВЧ транзисторы разработаны для работы с импульсами средней длительности (150мс) с минимальным коэффициентом заполнения 5%.

Например, высокоэффективный 300Вт транзистор класса С, предлагает беспрецедентные технические характеристики - коэффициент усиления по мощности 9.6 дБ, коэффициент передачи тока эмиттера в схеме с общей базой - 50% и чрезвычайно низкий спад импульса - 0.5 дБ или менее при длительности импульса 150 мс. Эти уникальные технические характеристики достигнуты благодаря использованию самой передовой технологии компании APT RF - Si BJT high power technology.

Основные технические характеристики СЧ/СВч транзисторов P-диапазона:

  • Спроектированы специально для прикладных задач, решаемых импульсными радарами, работающими в P-диапазоне: 890-1000 МГц ;

  • Способность работать с импульсами средней длительности: 150 мс, 5%;

  • Непревзойденная выходная мощность: 300Вт;

  • Выдающийся коэффициент усиления по мощности: 9.6 дБ;

  • Отличные характеристики спада импульса: 0.5 дБ;

  • Длительность фронта импульса: 150 нс;

  • Коэффициент передачи тока эмиттера в схеме с общей базой: 50%;

  • Рассогласование нагрузки: КСВН 3:1;

  • Герметичный металлический корпус.

Соединяя 4, 6 или 8 ВЧ/СВЧ транзисторов 0910-300M с оконечным каскадом на транзисторах 0910-150M и 0910-60, заказчики могут легко достичь киловаттной выходной мощности в прикладных задачах, решаемых импульсными радарами P-диапазона. Типовая структурная схема построения радарной системы с использованием транзисторов APT P-диапазона представлена ниже:

Соединяя 4, 6 или 8 транзисторов 0910-300M с оконечным каскадом на транзисторах 0910-150M и 0910-60, заказчики могут легко достичь киловаттной выходной мощности в прикладных задачах, решаемых импульсными радарами P-диапазона. Типовая структурная схема построения радарной системы с использованием транзисторов APT представлена ниже.