Новости

22.02
...

Лицензионное соглашение APT о производстве полупроводниковых приборов на основе SiC

Компания Advanced Power Technology (APT) - ведущий поставщик высокотехнологичной силовой электроники, - объявила о вступлении в силу лицензионного соглашения с отделом Электронных Систем компании Northrop Grumman Corporation (NOC) о производстве нового поколения микроэлектронных приборов на основе карбида кремния (SiC).

Логотип Northrop GrummanЭто соглашение формирует отношения между компаниями, посредством чего NOC лицензирует определенную карбид-кремниевую технологию для APT, включая все важные патенты и методы производства, чтобы APT могла производить собственные высокотехнологичные микроэлектронные устройства на основе карбида кремния.

Кроме того, соглашение позволяет компании APT использовать лицензированную технологию, для производства и продажи других устройств на основе карбида кремния для коммерческих целей. Обе компании имеют большой задел в технологии производства полупроводниковых устройств на основе карбида кремния и рассматривают это направление как стратегически важное для нового поколения полупроводниковых приборов.

Уменьшение веса и размера устройств силовой электроники, является основным фактором, способствующим внедрению карбид-кремниевой электроники в военное и гражданское оборудование. Карбид-кремниевые полупроводниковые устройства продемонстрировали значительные преимущества по многим параметрам над лучшими кремниевыми устройствами.

Военные приложения SiC включают радиолокационные, гибридные силовые системы, управление и распределение электроэнергии, активное радиоподавление и широкополосные системы связи.

Гражданские применения SiC, где карбид-кремниевые устройства военного исполнения могут с успехом применяться - это машины с гибридным приводом, передача электроэнергии, сервера, медицинские системы и альтернативная энергетика.

Вице-президент APT Russell Crecraft заявил: Мы очень рады установлению длительных партнерских отношений с компанией мирового уровня, такой как NOC. Разработка полупроводниковых приборов на основе карбида кремния была и остаётся ключевым стратегическим направлением для APT. От нового партнерского соглашения, мы ожидаем значительного прогресса в производстве полупроводниковых приборов на основе карбида кремния. Сочетание опыта обоих компаний, позволит нам производить самые передовые полупроводниковые устройства, по самой совершенной карбид-кремниевой технологии.