Новости

15.01
...

Платформа интеллектуального ядра приёмопередатчика физического уровня PCI Express 3.0 от Semtech

Интеллектуальное ядро приёмопередатчика физического уровня Snowbush разработки компании Semtech прошло тестирование в PCI-SIG
10.01
...

40В и 80В диоды X-REL Semiconductor с диапазоном рабочих температур от от -60°C до +230°C

Диоды серии XTRM X-REL предназначены для применения в скважинном оборудовании, автомобильных и авиационных разработках
02.01
...

Выпрямительный мост PD70224 семейства IdealPoE компании Microsemi для PoE- и PoH-разработок

Мост PD70224 избавляет от необходимости применения дополнительных внешних элементов - ИС контроллеров и полевых транзисторов
27.12
...

Высокоомные резисторы компании SRT Resistor Technology GmbH с ультранизким значением ТКС

Компания SRT Resistor Technology GmbH производит резисторы с номиналами сопротивлений до 10 ГОм в корпусах форм-факторов 2512 и 4020
17.12
...

Защитные фильтры EClamp2357NQ компании Semtech для SD карт и цветных сенсорных дисплеев

Для защиты карт Secure Digital от электромагнитных помех и электростатических разрядов применяют фильтры EClamp2357NQ компании Semtech
09.12
...

Твердотельные флеш-накопители SFD25A-M компании Apacer для облачных хранилищ информации

Отличной заменой для накопителей 2.5" HDD SATA являются твердотельные диски SFD25A-M компании Apacer со скоростями обмена до 450/430 Мбайт/с
01.12
...

Высокотемпературный драйвер затворов силовых транзисторов XTR25010 компании X-REL Semiconductor

ИС высоконадёжного драйвера XTR25010 компании X-REL Semiconductor работает в температурном диапазоне от -60°C до +230°C
25.11
...

Высоконадёжный модуль поддержания выходного напряжения GAIA Converter серии HUGD мощностью 300 Вт

Защитный модуль HUGD-300 выпускается компанией GAIA Converter в низкопрофильном корпусе для сквозного монтажа размерами 1.5” х 1.0”
19.11
...

Высоконадёжные стабилитроны с рабочими напряжениям от 1.0 до 2.4В серии SLZ компании Microsemi

Характеристики стабилитронов серии SLZ Microsemi обеспечивают до 4-х раз более высокое значение коэффициента регулирования и до 40 раз меньший ток утечки