Новости

25.10
...

Ёмкостные детекторы касаний SX95xx Semtech с повышенной разрешающей способностью

Интегрированный в ИС SX9510 Semtech ИК-декодер снижает электропотребление самых разнообразных электронных бытовых устройств
16.10
...

Высокоточный источник опорного напряжения +4.5В VRE204 компании Apex Microtechnology в 20-выводном корпусе

ИОН серии VRE204 компании Apex Microtechnology работают в военном диапазоне температур от -55°C до +125°C и имеют два уровня точности
10.10
...

Microsemi Corporation отмечает 55-летие своего участия в космических программах и миссиях

За прошедшие годы электронные компоненты Microsemi Corporation побывали на Луне, Марсе, а также использовались в сотнях других космических программ
27.09
...

Изменение ассортимента производимых стандартных силовых устройств компании Microsemi

С 01 октября 2012 г. Microsemi Corporation снимает с производства ряд силовых модулей, которые не заказывались в течение прошедших трёх лет
25.09
...

Понижающий стабилизатор SC4530 компании Semtech для слаботочных источников питания

ИС SC4530 Semtech снижает потребление устройств в дежурном режиме, обеспечивая КПД более 80% при небольших уровнях потребления (при токе 650 мкА)
06.09
...

Компания КВЕСТ получила статус авторизированного партнера PICO Electronics

Компания КВЕСТ получила статус авторизированного партнёра американского производителя высоконадёжных преобразователей PICO Electronics
05.09
...

Cиловые биполярные транзисторы с изолированным затвором Power MOS 8 компании Microsemi

Силовые биполярные транзисторы Microsemi с изолированным затвором APT85GR120B2, APT85GR120L и APT85GR120J имеют рабочее напряжение 1200 В
31.08
...

Адаптивный кабельный эквалайзер GS3440 компании Semtech, соответствующий стандартам 3G/HD/SD

Характеристики ИС GS3440 компании Semtech оптимизированы для скоростей обмена информацией 270 Мбит/с, 1.485 Гбит/с и 2.97 Гбит/с
30.08
...

Радиочастотный транзистор 1011GN-700ELM Microsemi для авиационных вторичных радаров (SSR)

Компания Microsemi расширяет линейку транзисторов, выполненных по технологии «нитрид галлия на подложке из карбида кремния» (GaN-on-SiC)