Публикации

Cree

Устройства на основе карбида кремния (SiC) повышают КПД систем преобразования солнечной энергии (2009)

Благодаря возросшей эффективности и производительности, диоды Шоттки CREE на основе карбида кремния являются идеальным решением для построения систем питания от солнечной энергии.

Диоды Шоттки на основе карбида кремния (SiC) и транзисторы с диодом Шоттки компании CREE (2008)

Все уникальные свойства полупроводниковых приборов компании CREE определяются свойствами карбида кремния. Карбид кремния является полупроводниковым материалом ближайшего будущего

Карбидокремниевые (SiC) высоковольтные диоды Шоттки компании CREE (2005)

Карбид кремня является одним из наиболее перспективных полупроводниковых материалов для создания эффективной элементной базы силовой электроники. На основе этого уникального материала компанией CREE выпускаются высоковольтные диоды Шоттки.

Диоды с барьером Шоттки на основе карбида кремния (SiC) в корректорах коэффициента мощности (2005)

Диоды Шоттки на основе карбида кремния компании CREE отлично подходят для повышения производительности
Device Engineering

Обзор продукции авиационного назначения компании Device Engineering Incorporated (2014)

Интерфейс ARINC429 является общепринятым стандартом передачи данных в сетевом авиационном оборудовании. ИС для этого станданта и других применений производит компания Device Engineering Inc. (DEI).

ИС для авиационной электроники стандарта ARINC 429 Device Engineering Incorporated (DEI) (2008)

Компания Device Engineering Incorporated (DEI) производит полную серию ИС, предназначенную для использования при обмене цифровыми данными по шине ARINC 429, а также преобразователи дискретных сигналов в цифровые.
1 2 3 4 5 6 7