Публикации

Microsemi

Монолитные СВЧ-компоненты Microsemi Corporation для ответственных применений (2016)

В линейку высоконадёжной MMIC продукции компании Microsemi входят малошумящие усилители, аттенюаторы с аналоговым управлением, программируемые делители частоты.

Силовые диоды, транзисторы и модули компании Microsemi (2016)

В диапазоне напряжений от 200 до 1000 В рынок уверенно завоевывают MOSFET, модули и интеллектуальные силовые ИС на их основе, вытесняя биполярные транзисторы.

Семейство ИС LX33xx компании Microsemi для сбора информации с датчиков (2015)

Микросхемы Microsemi адаптированы под конкретные типы датчиков, содержат только необходимые периферийные узлы и оптимизированы для определенного круга задач.

Дискретные и модульные компоненты на основе карбида кремния компании Microsemi (2015)

Полевые транзисторы, диоды и другие электронные приборы на основе карбида кремния обладают целым рядом преимуществ по сравнению с аналогичными устройствами на базе кремния.

Высокотемпературные компоненты Microsemi - надёжность в экстремальных условиях (2014)

Компания Microsemi предлагает устройства с широким диапазоном рабочих температур от -65°С до +230°С для космических, оборонных, авиационных и нефтегазовых применений

Организация питания радиационно-стойких ПЛИС с применением DC/DC модулей Microsemi (2014)

В статье рассмотрены способы организации питания ПЛИС семейств RTAX при помощи радиационно-стойких DC/DC преобразователей напряжения компании Microsemi.

Сканеры GEN2 Microsemi - Окупаемость инвестиций в борьбу с кражами в ритейле (2014)

Дистрибьюторской компании Sears из Канады удалось остановить неконтролируемые хищения товаров в своём логистическом центре в помощью сканеров GEN2 Microsemi.

Cиловые модули на основе карбида кремния (SiC) компании Microsemi (2013)

Рассмотрены преимущества использования карбид-кремниевых (SiC) силовых модулей на примере новинок от компании Microsemi для Hi-Rel и промышленных применений.

Радиационно-стойкие источники питания компании Microsemi для высоконадежных применений (2012)

Представлены радиационно-стойкие источники питания, предлагаемые Microsemi для военного и космического применения, и описана методика выходного контроля по различным стандартам.

Мощные радиочастотные VDMOS-транзисторы фирмы Microsemi и модули на их основе (2012)

В статье описаны VDMOS транзисторы компании Microsemi с выходной мощностью от нескольких Вт до 2 кВт, работающие на частотах от 10 до 200 МГц, и усилители мощности на их основе.

Параметры и особенности силовых IGBT- и FRED-модулей корпорации Microsemi (2012)

Компания Microsemi производит более 1500 типов диодных, интеллектуальных, MOSFET, тиристорных, IGBT, комбинированных IGBT/MOSFET и силовых модулей на основе карбида кремния.

Новые возможности с транзисторами на основе нитрида галлия (GaN) компании Microsemi (2012)

Представлен обзор перспективных разработок компании Microsemi в области мощных высокочастотных силовых транзисторов на основе нитрида галлия (GaN).

Подробное описание продукции, производимой Microsemi Corporation (2008)

Приведены основные характеристики электронных компонентов, производимых компанией Microsemi: силовые транзитсторы, диоды и модули, TVS-диоды, СВЧ-транзисторы, датчики видимого света.

Использование силовых транзисторов Microsemi в линейном режиме (2008)

В статье показаны особенности линейного режима работы транзистора и даны рекомендации и примеры реализации высоконадёжных схем, работающих в линейном режиме.

Датчики видимого света компании Microsemi и схемотехника их применения (2007)

Рассмотрены датчики видимого света Microsemi. Показана важность спектральной характеристики для задач автоматического управления освещением и подсветкой ЖК-дисплеев.

Высоконадёжные СВЧ-транзисторы компании APT для авиационного оборудования и радаров (2006)

Приведён обзор СВЧ-транзисторов, применяемых в авиационной электронике и радиолокационных станциях, рассмотрены особенности и параметры СВЧ-транзисторов компании APT

Устранение паразитных колебаний, возникающих при параллельном соединении MOSFET (2005)

В статье рассмотрены причины возникновения паразитных колебаний в MOSFET транзисторах компании APT и исследованы эффективные способы их устранения.

Новая технология PT IGBT компании APT против мощных полевых МОП транзисторов (2004)

Сравниваются динамические характеристики и потери на переключение МОП-транзисторов и транзисторов с изолированным затвором, производимых по технологии IGBT Power MOS 7®.

Силовые модули компании Advanced Power Technology. Обзор продукции (2004)

Силовые модули компании APT применяются в схемах, когда использование дискретных компонентов неприемлемо из-за их недостаточной мощности или сложности реализации.
Payton Group

Планарные трансформаторы для малогабаритных высоконадёжных применений (2015)

Линейка продукции Payton Planar Magnetics включает в себя планарные трансформаторы мощностью от 5 Вт до 20 кВт, планарные дроссели с предварительно намагниченным сердечником, гибридные дроссели и дроссели-фильтры.

Планарные трансформаторы Payton Planar Magnetics (2008)

Компания Payton производит планарные трансформаторы мощностью от 5 Вт до 20 кВт, при этом они, обладая небольшими размерами, обеспечивают хорошие тепловые характеристики и низкий уровень электромагнитных помех.

Планарные трансформаторы и дроссели компании Payton (2005)

На смену традиционной технологии построения трансформатора приходит новая планарная технология, имеющая существенные преимущества. Мировой лидер в планарных технологиях - компания Payton Planar Magnetics.
1 2 3 4 5 6 7