Поиск по параметрам

Наименование Бренд Описание Pout,Вт fo,МГц VDD,В Vdss,В Rjc,(°C/Вт) Корпус COO Описание Pout,Вт Pin,Вт Gain,дБ VDD,В Coss,пФ Корпус F, МГц Vcc, В Pout min, Вт Gain min, дБ Тип корпуса Описание Pout, Вт Pin, Вт Gain, дБ VCC, В Pulse, мкс DC, % Корпус Описание Pout min, Вт Pin max, Вт Gain min, дБ Vcc, В КПД, % Tи, мкс DC, % КСВН Rtjc, (°C/Вт) Корпус Описание fO,МГц Pout,Вт Gain,дБ Vcc,В ICQ,А IMD Type,дБ Корпус Описание F,МГц Pout,Вт Pin,Вт Gain,дБ Vcc,В Cob,пФ Корпус Описание FO min, MHz FO max, MHz Pout, Вт
ARF465AG Microsemi Напряжение 100-300В 125 65 300 1200 0 TO-247CS A-E
ARF465BG Microsemi Напряжение 100-300В 125 65 300 1200 0 TO-247CS A-E
ARF466AG Microsemi Напряжение 100-300В 300 45 250 1000 0 TO-264 A-E
ARF466BG Microsemi Напряжение 100-300В 300 45 250 1000 0 TO-264 A-E
ARF466FL Microsemi Напряжение 100-300В 300 45 200 1000 0 T2 A-E
ARF467FL Microsemi Напряжение 100-300В 300 45 200 1000 0 T2 A-E
ARF473 Microsemi Напряжение 100-300В 300 150 165 500 0 M208 A-E
ARF475FL Microsemi Напряжение 100-300В 300 130 160 500 0 T3A A-E
ARF476FL Microsemi Напряжение 100-300В 300 150 165 500 0 T3C A-E
ARF477FL Microsemi Напряжение 100-300В 400 65 165 500 0 T3C A-E
ARF520 Microsemi Напряжение 100-300В 150 100 165 500 0 M174 A-E
ARF521 Microsemi Напряжение 100-300В 150 150 165 500 0 M174 A-E
DRF100 Microsemi ИС драйвера СВЧ-транзистора 50 30 25 1 0 D-E
DRF1200 Microsemi транзисторы СВЧ + MOSFET 560 30 15 1000 1 T2B D-E
DRF1201 Microsemi транзисторы СВЧ + MOSFET 2000 30 15 1000 0 T2B D-E