Поиск по параметрам

Наименование Бренд Описание Pout,Вт fo,МГц VDD,В Vdss,В Rjc,(°C/Вт) Корпус COO Описание Pout,Вт Pin,Вт Gain,дБ VDD,В Coss,пФ Корпус F, МГц Vcc, В Pout min, Вт Gain min, дБ Тип корпуса Описание Pout, Вт Pin, Вт Gain, дБ VCC, В Pulse, мкс DC, % Корпус Описание Pout min, Вт Pin max, Вт Gain min, дБ Vcc, В КПД, % Tи, мкс DC, % КСВН Rtjc, (°C/Вт) Корпус Описание fO,МГц Pout,Вт Gain,дБ Vcc,В ICQ,А IMD Type,дБ Корпус Описание F,МГц Pout,Вт Pin,Вт Gain,дБ Vcc,В Cob,пФ Корпус Описание FO min, MHz FO max, MHz Pout, Вт
ARF1501 Microsemi Напряжение 100-300В 750 40 250 1200 0 T1 A-E
ARF1505 Microsemi Напряжение 100-300В 750 30 300 1200 0 T1 A-E
ARF465AG Microsemi Напряжение 100-300В 125 65 300 1200 0 TO-247CS A-E
ARF465BG Microsemi Напряжение 100-300В 125 65 300 1200 0 TO-247CS A-E
ARF1510 Microsemi Напряжение 100-300В 750 40 400 1000 0 T1 D
ARF1519 Microsemi Напряжение 100-300В 750 25 250 1000 0 T2 A-E
ARF446G Microsemi Напряжение 100-300В 115 65 250 1000 0 TO-247CS C-E
ARF447G Microsemi Напряжение 100-300В 115 65 250 1000 0 TO-247CS C-E
ARF466AG Microsemi Напряжение 100-300В 300 45 250 1000 0 TO-264 A-E
ARF466BG Microsemi Напряжение 100-300В 300 45 250 1000 0 TO-264 A-E
ARF466FL Microsemi Напряжение 100-300В 300 45 200 1000 0 T2 A-E
ARF467FL Microsemi Напряжение 100-300В 300 45 200 1000 0 T2 A-E
DRF1200 Microsemi транзисторы СВЧ + MOSFET 560 30 15 1000 1 T2B D-E
DRF1201 Microsemi транзисторы СВЧ + MOSFET 2000 30 15 1000 0 T2B D-E
DRF1203 Microsemi транзисторы СВЧ + MOSFET 650 30 15 1000 0 T2B D-E