Поиск по параметрам

Наименование Бренд Описание Pout,Вт fo,МГц VDD,В Vdss,В Rjc,(°C/Вт) Корпус COO Описание Pout,Вт Pin,Вт Gain,дБ VDD,В Coss,пФ Корпус F, МГц Vcc, В Pout min, Вт Gain min, дБ Тип корпуса Описание Pout, Вт Pin, Вт Gain, дБ VCC, В Pulse, мкс DC, % Корпус Описание Pout min, Вт Pin max, Вт Gain min, дБ Vcc, В КПД, % Tи, мкс DC, % КСВН Rtjc, (°C/Вт) Корпус Описание fO,МГц Pout,Вт Gain,дБ Vcc,В ICQ,А IMD Type,дБ Корпус Описание F,МГц Pout,Вт Pin,Вт Gain,дБ Vcc,В Cob,пФ Корпус Описание FO min, MHz FO max, MHz Pout, Вт
DRF1202 Microsemi транзисторы СВЧ + MOSFET 2000 30 15 500 0 T2B D-E
DRF1203 Microsemi транзисторы СВЧ + MOSFET 650 30 15 1000 0 T2B D-E
DRF1300 Microsemi транзисторы СВЧ + MOSFET 1500 30 15 500 0 T4 D-E
DRF1301 Microsemi транзисторы СВЧ + MOSFET 1500 30 15 1000 0 T4 D-E
DRF200G Microsemi ИС драйвера СВЧ-транзистора 50 30 25 1 0 D-E
VRF2933 Microsemi Рабочее напряжние 50В 300 2 50 M177
2N4427 Microsemi 175 12 1 10 TO-39
SRF4427 Microsemi 175 12 1 17 SO-8
MRF553 Microsemi 175 12 1 11 Pwr Macro
MRF607 175 12 1 11 TO-39
2N6255 175 12 3 7 TO-39
SD1127 Microsemi 175 12 4 12 TO-39
2N3866 Microsemi 400 28 1 10 TO-39
2N3866A Microsemi 400 28 1 10 TO-39
MRF3866 400 28 1 10 SO-8