Поиск по параметрам

Наименование Бренд Описание Pout,Вт fo,МГц VDD,В Vdss,В Rjc,(°C/Вт) Корпус COO Описание Pout,Вт Pin,Вт Gain,дБ VDD,В Coss,пФ Корпус F, МГц Vcc, В Pout min, Вт Gain min, дБ Тип корпуса Описание Pout, Вт Pin, Вт Gain, дБ VCC, В Pulse, мкс DC, % Корпус Описание Pout min, Вт Pin max, Вт Gain min, дБ Vcc, В КПД, % Tи, мкс DC, % КСВН Rtjc, (°C/Вт) Корпус Описание fO,МГц Pout,Вт Gain,дБ Vcc,В ICQ,А IMD Type,дБ Корпус Описание F,МГц Pout,Вт Pin,Вт Gain,дБ Vcc,В Cob,пФ Корпус Описание FO min, MHz FO max, MHz Pout, Вт
JTDA50 Microsemi JTIDS 960-1215 МГц, Класс C, схема с ОБ 50 10 7 36 40 10 22 10:1 0 55AT-1
JTDB75 Microsemi JTIDS 960-1215 МГц, Класс C, схема с ОБ 75 15 7 36 40 10 40 3:1 0 55AT-1
TAN150 Microsemi TACAN 960-1215 МГц, Класс C, схема с ОБ 150 30 7 50 38 20 5 10:1 0 55AT-1
TAN250A Microsemi TACAN 960-1215 МГц, Класс C, схема с ОБ 250 60 6 50 40 20 5 5:1 0 55AT-1
MS2203 Microsemi Ретранслятор/1090 МГц. Класс A, схема с ОЭ 0 0 10 18 0 0 0 30:1 35 M220
MS2201 Microsemi Ретранслятор/1090 МГц. Класс C, схема с ОБ 2 0 9 28 35 10 1 10 M220
MS2205 Microsemi Air DME, 1025-1150 МГц, Класс C, схема с ОБ 4 0 9 28 35 10 1 20:1 5 M220
MS2553 Microsemi Air DME, 1025-1150 МГц, Класс C, схема с ОБ 35 3 10 50 43 10 1 20:1 1 M220
MS2553C Microsemi Air DME, 1025-1150 МГц, Класс C, схема с ОБ 35 3 10 50 10 1 0 M220
MS2211 Microsemi JTIDS 960-1215 МГц, Класс C, схема с ОБ 6 0 9 28 45 6 21 5:1 7 M22
MS2212 Microsemi JTIDS 960-1215 МГц, Класс C, схема с ОБ 15 2 8 28 45 10 21 20:1 3 M22
MSC1350M Microsemi Ретранслятор/1090 МГц. Класс C, схема с ОБ 350 70 6 50 40 10 1 20:1 0 M218
MSC1175M Microsemi Air DME, 1025-1150 МГц, Класс C, схема с ОБ 175 30 7 50 40 10 1 20:1 0 M218
MS2554 Microsemi Air DME, 1025-1150 МГц, Класс C, схема с ОБ 250 60 6 50 40 10 1 20:1 0 M218
MS2214 Microsemi JTIDS 960-1215 МГц, Класс C, схема с ОБ 85 15 7 35 40 6 21 5:1 0 M218