Поиск по параметрам

Наименование Бренд Описание Pout,Вт fo,МГц VDD,В Vdss,В Rjc,(°C/Вт) Корпус COO Описание Pout,Вт Pin,Вт Gain,дБ VDD,В Coss,пФ Корпус F, МГц Vcc, В Pout min, Вт Gain min, дБ Тип корпуса Описание Pout, Вт Pin, Вт Gain, дБ VCC, В Pulse, мкс DC, % Корпус Описание Pout min, Вт Pin max, Вт Gain min, дБ Vcc, В КПД, % Tи, мкс DC, % КСВН Rtjc, (°C/Вт) Корпус Описание fO,МГц Pout,Вт Gain,дБ Vcc,В ICQ,А IMD Type,дБ Корпус Описание F,МГц Pout,Вт Pin,Вт Gain,дБ Vcc,В Cob,пФ Корпус Описание FO min, MHz FO max, MHz Pout, Вт
DRF1200 Microsemi транзисторы СВЧ + MOSFET 560 30 15 1000 1 T2B D-E
DRF1201 Microsemi транзисторы СВЧ + MOSFET 2000 30 15 1000 0 T2B D-E
DRF1202 Microsemi транзисторы СВЧ + MOSFET 2000 30 15 500 0 T2B D-E
DRF1203 Microsemi транзисторы СВЧ + MOSFET 650 30 15 1000 0 T2B D-E
DRF1300 Microsemi транзисторы СВЧ + MOSFET 1500 30 15 500 0 T4 D-E
DRF1301 Microsemi транзисторы СВЧ + MOSFET 1500 30 15 1000 0 T4 D-E
DRF100 Microsemi ИС драйвера СВЧ-транзистора 50 30 25 1 0 D-E
DRF200G Microsemi ИС драйвера СВЧ-транзистора 50 30 25 1 0 D-E
ARF1500 Microsemi Напряжение 100-300В 750 40 125 500 0 T1 A-E
ARF300 Microsemi Напряжение 100-300В 300 45 125 500 0 T-11 C-E
ARF301 Microsemi Напряжение 100-300В 300 45 125 500 0 T-11 C-E
ARF448AG Microsemi Напряжение 100-300В 115 65 125 500 0 TO-247CS C-E
ARF448BG Microsemi Напряжение 100-300В 115 65 125 500 0 TO-247CS C-E
ARF449AG Microsemi Напряжение 100-300В 85 100 125 500 0 TO-247CS C-E
ARF449BG Microsemi Напряжение 100-300В 85 100 125 500 0 TO-247CS C-E