Поиск по параметрам

Наименование Бренд Описание Pout,Вт fo,МГц VDD,В Vdss,В Rjc,(°C/Вт) Корпус COO Описание Pout,Вт Pin,Вт Gain,дБ VDD,В Coss,пФ Корпус F, МГц Vcc, В Pout min, Вт Gain min, дБ Тип корпуса Описание Pout, Вт Pin, Вт Gain, дБ VCC, В Pulse, мкс DC, % Корпус Описание Pout min, Вт Pin max, Вт Gain min, дБ Vcc, В КПД, % Tи, мкс DC, % КСВН Rtjc, (°C/Вт) Корпус Описание fO,МГц Pout,Вт Gain,дБ Vcc,В ICQ,А IMD Type,дБ Корпус Описание F,МГц Pout,Вт Pin,Вт Gain,дБ Vcc,В Cob,пФ Корпус Описание FO min, MHz FO max, MHz Pout, Вт
MDS60L Microsemi MODE S, 1030/1090 МГц, Класс C, схема с ОБ 60 6 10 50 2400 6 0 55AW-1
MS2290 Microsemi Ретранслятор/1090 МГц. Класс A, схема с ОЭ 0 0 10 18 0 0 0 30:1 25 M115
MS2203 Microsemi Ретранслятор/1090 МГц. Класс A, схема с ОЭ 0 0 10 18 0 0 0 30:1 35 M220
MS2204 Microsemi Ретранслятор/1090 МГц. Класс A, схема с ОЭ 0 0 10 18 0 0 0 30:1 25 M115
1000MP Microsemi Air DME, 1025-1150 МГц, Класс A, схема с ОЭ, CW 0 0 10 18 0 0 0 10:1 33 55FW-2
0912LD20 Microsemi LDMOS: Ретранслятор/запросчик. 1030/1090 МГц, Клас 20 1 15 28 0 32 2 0 55QT
MS2201 Microsemi Ретранслятор/1090 МГц. Класс C, схема с ОБ 2 0 9 28 35 10 1 10 M220
MS2206 Microsemi Ретранслятор/1090 МГц. Класс C, схема с ОБ 4 0 10 28 35 10 1 35 M115
MS2205 Microsemi Air DME, 1025-1150 МГц, Класс C, схема с ОБ 4 0 9 28 35 10 1 20:1 5 M220
SD1526-01 Microsemi Air DME, 1025-1150 МГц, Класс C, схема с ОБ 5 0 9 28 0 10 1 20:1 8 M115
MS2211 Microsemi JTIDS 960-1215 МГц, Класс C, схема с ОБ 6 0 9 28 45 6 21 5:1 7 M22
MS2212 Microsemi JTIDS 960-1215 МГц, Класс C, схема с ОБ 15 2 8 28 45 10 21 20:1 3 M22
1011LD110 Microsemi LDMOS: Ретранслятор/запросчик. 1030/1090 МГц, Клас 110 5 13 32 50 32 2 3:1 0 55QZ
1011LD200 Microsemi LDMOS: Ретранслятор/запросчик. 1030/1090 МГц, Клас 200 10 13 32 50 32 2 3:1 0 55QX
1011LD300 Microsemi LDMOS: Ретранслятор/запросчик. 1030/1090 МГц, Клас 300 15 13 32 50 32 2 3:1 0 55QM