Категории

Показывать по
12 24 48 Все
0105-50 Подробнее Описание УВЧ 100-500 MHz, Class C, Общий эмиттер Pout,Вт 50 Pin,Вт 7 Gain,дБ 8 Vcc,В 28 Cob,пФ 52 fO,МГц 500 Корпус 55JT-2 Бренд Microsemi 0105-50 Подробнее Описание УВЧ, 100-500 МГц, Класс C, схема с ОЭ Pout min, Вт 50 Pin max, Вт 7 Gain min, дБ 8 КПД, % 55 Vcc, В 28 Ic, мА 52 КСВН 5:1 Rtjc, (°C/Вт) 1 Корпус 55JT-2 Бренд Microsemi 0150SC-1250M Подробнее Pout, Вт 1250 Pin, Вт 150 Gain, дБ 9 VCC, В 125 Pulse, мкс 300 DC, % 10 Корпус 55ST-1 Бренд Microsemi 0150SC-1250M Подробнее Описание SiC ОВЧ: 160MHz, Class AB, схема с общ. Затвором Pout,Вт 1250 Pin,Вт 190 Gain,dB 9 Vcc,В 125 Ти,мкс 300 DC,% 10 Корпус 55ST-1 Бренд Microsemi 0150SC-1250M Подробнее Описание SiC ОВЧ: 160MHz, Class AB, схема с общ. Затвором Pout,Вт 1250 Pin,Вт 190 Gain,dB 9 Vcc,В 125 Ти,мкс 300 DC,% 10 Корпус 55ST-1 Бренд Microsemi 0204-125 Подробнее Описание УВЧ 225-400 MHz, Class C, Общий Эмиттер Pout,Вт 125 Pin,Вт 25 Gain,дБ 8 Vcc,В 28 Cob,пФ 70 fO,МГц 400 Корпус 55JT-2 Бренд Microsemi 0204-125 Подробнее Описание УВЧ, 225-400 МГц, Класс C, схема с ОЭ Pout min, Вт 125 Pin max, Вт 25 Gain min, дБ 8 КПД, % 60 Vcc, В 28 Ic, мА 70 КСВН 5:1 Корпус 55JT-2 Бренд Microsemi 0405-500L Подробнее Описание УВЧ: 400-450 MHz, Class C, схема с общ. Эмиттером Pout,Вт 500 Pin,Вт 55 Gain,dB 10 Vcc,В 32 Ти,мкс 1100 DC,% 26 Корпус 55-SL Бренд Microsemi 0405-500L Подробнее Описание УВЧ: 400-450 MHz, Class C, схема с общ. Эмиттером Pout,Вт 500 Pin,Вт 55 Gain,dB 10 Vcc,В 32 Ти,мкс 1100 DC,% 26 Корпус 55-SL Бренд Microsemi 0405SC-1000M Подробнее FO min, MHz 406 FO max, MHz 450 Pout, Вт 1000 Pin, Вт 180 Gain, дБ 8 VCC, В 125 Pulse, мкс 300 DC, % 10 Корпус 55ST-1 Бренд Microsemi 0405SC-1000M Подробнее Описание SiC УВЧ: 400-450MHz, Class AB, схема с общ. Затвор Pout,Вт 1000 Pin,Вт 180 Gain,dB 8 Vcc,В 125 Ти,мкс 300 DC,% 10 Корпус 55ST-1 Бренд Microsemi 0405SC-1000M Подробнее Описание SiC УВЧ: 400-450MHz, Class AB, схема с общ. Затвор Pout,Вт 1000 Pin,Вт 180 Gain,dB 8 Vcc,В 125 Ти,мкс 300 DC,% 10 Корпус 55ST-1 Бренд Microsemi 0405SC-1500M Подробнее FO min, MHz 406 FO max, MHz 450 Pout, Вт 1500 Pin, Вт 270 Gain, дБ 7 VCC, В 125 Pulse, мкс 300 DC, % 6 Корпус 55ST-1 Бренд Microsemi 0405SC-1500M Подробнее Описание SiC УВЧ: 400-450MHz, Class AB, схема с общ. Затвор Pout,Вт 1500 Pin,Вт 270 Gain,dB 7 Vcc,В 125 Ти,мкс 300 DC,% 6 Корпус 55ST-1 Бренд Microsemi 0405SC-1500M Подробнее Описание SiC УВЧ: 400-450MHz, Class AB, схема с общ. Затвор Pout,Вт 1500 Pin,Вт 270 Gain,dB 7 Vcc,В 125 Ти,мкс 300 DC,% 6 Корпус 55ST-1 Бренд Microsemi 0405SC-2200M Подробнее FO min, MHz 406 FO max, MHz 450 Pout, Вт 2200 Pin, Вт 440 Gain, дБ 7 VCC, В 125 Pulse, мкс 300 DC, % 6 Корпус 55TW-FET Бренд Microsemi 0405SC-2200M Подробнее Описание SiC УВЧ: 400-450MHz, Class AB, схема с общ. Затвор Pout,Вт 2200 Pin,Вт 440 Gain,dB 7 Vcc,В 125 Ти,мкс 300 DC,% 6 Корпус 55TW-FET Бренд Microsemi 0405SC-2200M Подробнее Описание SiC УВЧ: 400-450MHz, Class AB, схема с общ. Затвор Pout,Вт 2200 Pin,Вт 440 Gain,dB 7 Vcc,В 125 Ти,мкс 300 DC,% 6 Корпус 55TW-FET Бренд Microsemi 0510-50A Подробнее Описание 500-1000 МГц, Класс AB, схема с ОЭ F, МГц 1000 Pout min, Вт 50 Pin max, Вт 10 Gain min, дБ 7,0 Vcc, В 28 Cob, пФ 50 КСВН 1 Rtjc, (°C/Вт) 55AV-2 Бренд Microsemi 0910-150M Подробнее Описание P-диапазон 890-1000 MHz Pout,Вт 150 Pin,Вт 18 Gain,dB 9 Vcc,В 36 Ти,мкс 150 DC,% 2 Корпус 55KT-1 Бренд Microsemi 0910-150M Подробнее Описание P-диапазон 890-1000 MHz Pout,Вт 150 Pin,Вт 18 Gain,dB 9 Vcc,В 36 Ти,мкс 150 DC,% 2 Корпус 55KT-1 Бренд Microsemi 0910-300M Подробнее Описание P-диапазон 890-1000 MHz Pout,Вт 300 Pin,Вт 33 Gain,dB 9 Vcc,В 50 Ти,мкс 150 DC,% 2 Корпус 55KT-1 Бренд Microsemi 0910-300M Подробнее Описание P-диапазон 890-1000 MHz Pout,Вт 300 Pin,Вт 33 Gain,dB 9 Vcc,В 50 Ти,мкс 150 DC,% 2 Корпус 55KT-1 Бренд Microsemi 0910-60M Подробнее Описание P-диапазон 890-1000 MHz Pout,Вт 60 Pin,Вт 9 Gain,dB 8 Vcc,В 40 Ти,мкс 150 DC,% 5 Корпус 55AW-1 Бренд Microsemi 0910-60M Подробнее Описание P-диапазон 890-1000 MHz Pout,Вт 60 Pin,Вт 9 Gain,dB 8 Vcc,В 40 Ти,мкс 150 DC,% 5 Корпус 55AW-1 Бренд Microsemi 0912-25 Подробнее Описание DME/TACAN 960-1215 МГц, Класс C, схема с ОБ Pout min, Вт 25 Pin max, Вт 3 Gain min, дБ 8 Vcc, В 50 КПД, % 45 Tи, мкс 10 DC, % 1 КСВН 10:1 Rtjc, (°C/Вт) 1 Корпус 55CT-1 Бренд Microsemi 0912-45 Подробнее Описание DME/TACAN 960-1215 МГц, Класс C, схема с ОБ Pout min, Вт 45 Pin max, Вт 7 Gain min, дБ 8 Vcc, В 50 КПД, % 45 Tи, мкс 10 DC, % 1 КСВН 10:1 Корпус 55CT-1 Бренд Microsemi 0912-7 Подробнее Описание DME/TACAN 960-1215 МГц, Класс C, схема с ОБ Pout min, Вт 7 Pin max, Вт 1 Gain min, дБ 8 Vcc, В 50 КПД, % 25 Tи, мкс 10 DC, % 1 КСВН 10:1 Rtjc, (°C/Вт) 3 Корпус 55CT-1 Бренд Microsemi 0912LD20 Подробнее Описание LDMOS: Ретранслятор/запросчик. 1030/1090 МГц, Клас Pout min, Вт 20 Pin max, Вт 1 Gain min, дБ 15 Vcc, В 28 Tи, мкс 32 DC, % 2 Корпус 55QT Бренд Microsemi 1000MP Подробнее Описание Air DME, 1025-1150 МГц, Класс A, схема с ОЭ, CW Gain min, дБ 10 Vcc, В 18 КСВН 10:1 Rtjc, (°C/Вт) 33 Корпус 55FW-2 Бренд Microsemi 1002MP Подробнее Описание Air DME, 1025-1150 МГц, Класс C, схема с ОБ Pout min, Вт 2 Gain min, дБ 10 Vcc, В 35 КПД, % 45 Tи, мкс 20 DC, % 1 КСВН 10:1 Rtjc, (°C/Вт) 10 Корпус 55FW-1 Бренд Microsemi 1004MP Подробнее Описание Air DME, 1025-1150 МГц, Класс C, схема с ОБ Pout min, Вт 4 Gain min, дБ 9 Vcc, В 35 КПД, % 35 Tи, мкс 10 DC, % 1 КСВН 20:1 Rtjc, (°C/Вт) 7 Корпус 55FW-1 Бренд Microsemi 1011LD110 Подробнее Описание LDMOS: Ретранслятор/запросчик. 1030/1090 МГц, Клас Pout min, Вт 110 Pin max, Вт 5 Gain min, дБ 13 Vcc, В 32 КПД, % 50 Tи, мкс 32 DC, % 2 КСВН 3:1 Корпус 55QZ Бренд Microsemi 1011LD200 Подробнее Описание LDMOS: Ретранслятор/запросчик. 1030/1090 МГц, Клас Pout min, Вт 200 Pin max, Вт 10 Gain min, дБ 13 Vcc, В 32 КПД, % 50 Tи, мкс 32 DC, % 2 КСВН 3:1 Корпус 55QX Бренд Microsemi 1011LD300 Подробнее Описание LDMOS: Ретранслятор/запросчик. 1030/1090 МГц, Клас Pout min, Вт 300 Pin max, Вт 15 Gain min, дБ 13 Vcc, В 32 КПД, % 50 Tи, мкс 32 DC, % 2 КСВН 3:1 Корпус 55QM Бренд Microsemi 1014-12 Подробнее Описание 1002-1400 MHz, 28V, Class C, Общая база F,МГц 1400 Pout,Вт 12 Pin,Вт 2 Gain,дБ 7 Vcc,В 28 Cob,пФ 12 Корпус 55LT-1 Бренд Microsemi 1014-2 Подробнее Описание 1000-1400 MHz, 28V, Class C, Общая база F,МГц 1400 Pout,Вт 2 Gain,дБ 7 Vcc,В 28 Cob,пФ 4 Корпус 55LT-1 Бренд Microsemi 1014-6A Подробнее Описание 1001-1400 MHz, 28V, Class C, Общая база F,МГц 1400 Pout,Вт 6 Pin,Вт 1 Gain,дБ 7 Vcc,В 28 Cob,пФ 3 Корпус 55LV-1 Бренд Microsemi 1015MP Подробнее Описание Air DME, 1025-1150 МГц, Класс C, схема с ОБ Pout min, Вт 15 Pin max, Вт 1 Gain min, дБ 10 Vcc, В 50 КПД, % 35 Tи, мкс 10 DC, % 1 КСВН 10:1 Rtjc, (°C/Вт) 2 Корпус 55FW-1 Бренд Microsemi 1035MP Подробнее Описание Air DME, 1025-1150 МГц, Класс C, схема с ОБ Pout min, Вт 35 Pin max, Вт 3 Gain min, дБ 10 Vcc, В 50 КПД, % 45 Tи, мкс 10 DC, % 1 КСВН 10:1 Rtjc, (°C/Вт) 1 Корпус 55FW-1 Бренд Microsemi 10500 Подробнее Описание MODE S, 1030/1090 МГц, Класс C, схема с ОБ Pout min, Вт 500 Pin max, Вт 70 Gain min, дБ 8 Vcc, В 50 КПД, % 45 Tи, мкс 32 DC, % 2 КСВН 4:1 Корпус 55ST-1 Бренд Microsemi 10502 Подробнее Описание MODE S, 1030/1090 МГц, Класс C, схема с ОБ Pout min, Вт 500 Pin max, Вт 70 Gain min, дБ 8 Vcc, В 50 КПД, % 45 Tи, мкс 32 DC, % 2 КСВН 4:1 Корпус 55SM-1 Бренд Microsemi 1075MP Подробнее Описание Air DME, 1025-1150 МГц, Класс C, схема с ОБ Pout min, Вт 75 Pin max, Вт 12 Gain min, дБ 7 Vcc, В 50 КПД, % 45 Tи, мкс 10 DC, % 1 КСВН 10:1 Корпус 55FW-1 Бренд Microsemi 1090MP Подробнее Описание Air DME, 1025-1150 МГц, Класс C, схема с ОБ Pout min, Вт 90 Pin max, Вт 14 Gain min, дБ 8 Vcc, В 50 КПД, % 45 Tи, мкс 10 DC, % 1 КСВН 10:1 Корпус 55FW-1 Бренд Microsemi 10A015 Подробнее Описание 500-1000 МГц, Класс A, схема с ОЭ F, МГц 1000 Pout min, Вт 1 Gain min, дБ 9 Vcc, В 20 Cob, пФ 3,8 КСВН 30:1 Rtjc, (°C/Вт) 29 Корпус 55FT-2 Бренд Microsemi 10A015 Подробнее Описание 501-1000 MHz,Class A, Общий эмиттер fO,МГц 1000 Pout,Вт 1 Gain,дБ 9 Vcc,В 20 Корпус 55FT-2 Бренд Microsemi 10A030 Подробнее Описание 500-1000 МГц, Класс A, схема с ОЭ F, МГц 1000 Pout min, Вт 3 Gain min, дБ 9 Vcc, В 20 Cob, пФ 7,3 КСВН 30:1 Rtjc, (°C/Вт) 12 Корпус 55FT-2 Бренд Microsemi 10A030 Подробнее Описание 502-1000 MHz,Class A, Общий эмиттер fO,МГц 1000 Pout,Вт 3 Gain,дБ 9 Vcc,В 20 Корпус 55FT-2 Бренд Microsemi