Категории
0105-50
Подробнее
Описание
УВЧ 100-500 MHz, Class C, Общий эмиттер
Pout,Вт
50
Pin,Вт
7
Gain,дБ
8
Vcc,В
28
Cob,пФ
52
fO,МГц
500
Корпус
55JT-2
Бренд
Microsemi
0105-50
Подробнее
Описание
УВЧ, 100-500 МГц, Класс C, схема с ОЭ
Pout min, Вт
50
Pin max, Вт
7
Gain min, дБ
8
КПД, %
55
Vcc, В
28
Ic, мА
52
КСВН
5:1
Rtjc, (°C/Вт)
1
Корпус
55JT-2
Бренд
Microsemi
0150SC-1250M
Подробнее
Pout, Вт
1250
Pin, Вт
150
Gain, дБ
9
VCC, В
125
Pulse, мкс
300
DC, %
10
Корпус
55ST-1
Бренд
Microsemi
0150SC-1250M
Подробнее
Описание
SiC ОВЧ: 160MHz, Class AB, схема с общ. Затвором
Pout,Вт
1250
Pin,Вт
190
Gain,dB
9
Vcc,В
125
Ти,мкс
300
DC,%
10
Корпус
55ST-1
Бренд
Microsemi
0150SC-1250M
Подробнее
Описание
SiC ОВЧ: 160MHz, Class AB, схема с общ. Затвором
Pout,Вт
1250
Pin,Вт
190
Gain,dB
9
Vcc,В
125
Ти,мкс
300
DC,%
10
Корпус
55ST-1
Бренд
Microsemi
0204-125
Подробнее
Описание
УВЧ 225-400 MHz, Class C, Общий Эмиттер
Pout,Вт
125
Pin,Вт
25
Gain,дБ
8
Vcc,В
28
Cob,пФ
70
fO,МГц
400
Корпус
55JT-2
Бренд
Microsemi
0204-125
Подробнее
Описание
УВЧ, 225-400 МГц, Класс C, схема с ОЭ
Pout min, Вт
125
Pin max, Вт
25
Gain min, дБ
8
КПД, %
60
Vcc, В
28
Ic, мА
70
КСВН
5:1
Корпус
55JT-2
Бренд
Microsemi
0405-500L
Подробнее
Описание
УВЧ: 400-450 MHz, Class C, схема с общ. Эмиттером
Pout,Вт
500
Pin,Вт
55
Gain,dB
10
Vcc,В
32
Ти,мкс
1100
DC,%
26
Корпус
55-SL
Бренд
Microsemi
0405-500L
Подробнее
Описание
УВЧ: 400-450 MHz, Class C, схема с общ. Эмиттером
Pout,Вт
500
Pin,Вт
55
Gain,dB
10
Vcc,В
32
Ти,мкс
1100
DC,%
26
Корпус
55-SL
Бренд
Microsemi
0405SC-1000M
Подробнее
FO min, MHz
406
FO max, MHz
450
Pout, Вт
1000
Pin, Вт
180
Gain, дБ
8
VCC, В
125
Pulse, мкс
300
DC, %
10
Корпус
55ST-1
Бренд
Microsemi
0405SC-1000M
Подробнее
Описание
SiC УВЧ: 400-450MHz, Class AB, схема с общ. Затвор
Pout,Вт
1000
Pin,Вт
180
Gain,dB
8
Vcc,В
125
Ти,мкс
300
DC,%
10
Корпус
55ST-1
Бренд
Microsemi
0405SC-1000M
Подробнее
Описание
SiC УВЧ: 400-450MHz, Class AB, схема с общ. Затвор
Pout,Вт
1000
Pin,Вт
180
Gain,dB
8
Vcc,В
125
Ти,мкс
300
DC,%
10
Корпус
55ST-1
Бренд
Microsemi
0405SC-1500M
Подробнее
FO min, MHz
406
FO max, MHz
450
Pout, Вт
1500
Pin, Вт
270
Gain, дБ
7
VCC, В
125
Pulse, мкс
300
DC, %
6
Корпус
55ST-1
Бренд
Microsemi
0405SC-1500M
Подробнее
Описание
SiC УВЧ: 400-450MHz, Class AB, схема с общ. Затвор
Pout,Вт
1500
Pin,Вт
270
Gain,dB
7
Vcc,В
125
Ти,мкс
300
DC,%
6
Корпус
55ST-1
Бренд
Microsemi
0405SC-1500M
Подробнее
Описание
SiC УВЧ: 400-450MHz, Class AB, схема с общ. Затвор
Pout,Вт
1500
Pin,Вт
270
Gain,dB
7
Vcc,В
125
Ти,мкс
300
DC,%
6
Корпус
55ST-1
Бренд
Microsemi
0405SC-2200M
Подробнее
FO min, MHz
406
FO max, MHz
450
Pout, Вт
2200
Pin, Вт
440
Gain, дБ
7
VCC, В
125
Pulse, мкс
300
DC, %
6
Корпус
55TW-FET
Бренд
Microsemi
0405SC-2200M
Подробнее
Описание
SiC УВЧ: 400-450MHz, Class AB, схема с общ. Затвор
Pout,Вт
2200
Pin,Вт
440
Gain,dB
7
Vcc,В
125
Ти,мкс
300
DC,%
6
Корпус
55TW-FET
Бренд
Microsemi
0405SC-2200M
Подробнее
Описание
SiC УВЧ: 400-450MHz, Class AB, схема с общ. Затвор
Pout,Вт
2200
Pin,Вт
440
Gain,dB
7
Vcc,В
125
Ти,мкс
300
DC,%
6
Корпус
55TW-FET
Бренд
Microsemi
0510-50A
Подробнее
Описание
500-1000 МГц, Класс AB, схема с ОЭ
F, МГц
1000
Pout min, Вт
50
Pin max, Вт
10
Gain min, дБ
7,0
Vcc, В
28
Cob, пФ
50
КСВН
1
Rtjc, (°C/Вт)
55AV-2
Бренд
Microsemi
0910-150M
Подробнее
Описание
P-диапазон 890-1000 MHz
Pout,Вт
150
Pin,Вт
18
Gain,dB
9
Vcc,В
36
Ти,мкс
150
DC,%
2
Корпус
55KT-1
Бренд
Microsemi
0910-150M
Подробнее
Описание
P-диапазон 890-1000 MHz
Pout,Вт
150
Pin,Вт
18
Gain,dB
9
Vcc,В
36
Ти,мкс
150
DC,%
2
Корпус
55KT-1
Бренд
Microsemi
0910-300M
Подробнее
Описание
P-диапазон 890-1000 MHz
Pout,Вт
300
Pin,Вт
33
Gain,dB
9
Vcc,В
50
Ти,мкс
150
DC,%
2
Корпус
55KT-1
Бренд
Microsemi
0910-300M
Подробнее
Описание
P-диапазон 890-1000 MHz
Pout,Вт
300
Pin,Вт
33
Gain,dB
9
Vcc,В
50
Ти,мкс
150
DC,%
2
Корпус
55KT-1
Бренд
Microsemi
0910-60M
Подробнее
Описание
P-диапазон 890-1000 MHz
Pout,Вт
60
Pin,Вт
9
Gain,dB
8
Vcc,В
40
Ти,мкс
150
DC,%
5
Корпус
55AW-1
Бренд
Microsemi
0910-60M
Подробнее
Описание
P-диапазон 890-1000 MHz
Pout,Вт
60
Pin,Вт
9
Gain,dB
8
Vcc,В
40
Ти,мкс
150
DC,%
5
Корпус
55AW-1
Бренд
Microsemi
0912-25
Подробнее
Описание
DME/TACAN 960-1215 МГц, Класс C, схема с ОБ
Pout min, Вт
25
Pin max, Вт
3
Gain min, дБ
8
Vcc, В
50
КПД, %
45
Tи, мкс
10
DC, %
1
КСВН
10:1
Rtjc, (°C/Вт)
1
Корпус
55CT-1
Бренд
Microsemi
0912-45
Подробнее
Описание
DME/TACAN 960-1215 МГц, Класс C, схема с ОБ
Pout min, Вт
45
Pin max, Вт
7
Gain min, дБ
8
Vcc, В
50
КПД, %
45
Tи, мкс
10
DC, %
1
КСВН
10:1
Корпус
55CT-1
Бренд
Microsemi
0912-7
Подробнее
Описание
DME/TACAN 960-1215 МГц, Класс C, схема с ОБ
Pout min, Вт
7
Pin max, Вт
1
Gain min, дБ
8
Vcc, В
50
КПД, %
25
Tи, мкс
10
DC, %
1
КСВН
10:1
Rtjc, (°C/Вт)
3
Корпус
55CT-1
Бренд
Microsemi
0912LD20
Подробнее
Описание
LDMOS: Ретранслятор/запросчик. 1030/1090 МГц, Клас
Pout min, Вт
20
Pin max, Вт
1
Gain min, дБ
15
Vcc, В
28
Tи, мкс
32
DC, %
2
Корпус
55QT
Бренд
Microsemi
1000MP
Подробнее
Описание
Air DME, 1025-1150 МГц, Класс A, схема с ОЭ, CW
Gain min, дБ
10
Vcc, В
18
КСВН
10:1
Rtjc, (°C/Вт)
33
Корпус
55FW-2
Бренд
Microsemi
1002MP
Подробнее
Описание
Air DME, 1025-1150 МГц, Класс C, схема с ОБ
Pout min, Вт
2
Gain min, дБ
10
Vcc, В
35
КПД, %
45
Tи, мкс
20
DC, %
1
КСВН
10:1
Rtjc, (°C/Вт)
10
Корпус
55FW-1
Бренд
Microsemi
1004MP
Подробнее
Описание
Air DME, 1025-1150 МГц, Класс C, схема с ОБ
Pout min, Вт
4
Gain min, дБ
9
Vcc, В
35
КПД, %
35
Tи, мкс
10
DC, %
1
КСВН
20:1
Rtjc, (°C/Вт)
7
Корпус
55FW-1
Бренд
Microsemi
1011LD110
Подробнее
Описание
LDMOS: Ретранслятор/запросчик. 1030/1090 МГц, Клас
Pout min, Вт
110
Pin max, Вт
5
Gain min, дБ
13
Vcc, В
32
КПД, %
50
Tи, мкс
32
DC, %
2
КСВН
3:1
Корпус
55QZ
Бренд
Microsemi
1011LD200
Подробнее
Описание
LDMOS: Ретранслятор/запросчик. 1030/1090 МГц, Клас
Pout min, Вт
200
Pin max, Вт
10
Gain min, дБ
13
Vcc, В
32
КПД, %
50
Tи, мкс
32
DC, %
2
КСВН
3:1
Корпус
55QX
Бренд
Microsemi
1011LD300
Подробнее
Описание
LDMOS: Ретранслятор/запросчик. 1030/1090 МГц, Клас
Pout min, Вт
300
Pin max, Вт
15
Gain min, дБ
13
Vcc, В
32
КПД, %
50
Tи, мкс
32
DC, %
2
КСВН
3:1
Корпус
55QM
Бренд
Microsemi
1014-12
Подробнее
Описание
1002-1400 MHz, 28V, Class C, Общая база
F,МГц
1400
Pout,Вт
12
Pin,Вт
2
Gain,дБ
7
Vcc,В
28
Cob,пФ
12
Корпус
55LT-1
Бренд
Microsemi
1014-2
Подробнее
Описание
1000-1400 MHz, 28V, Class C, Общая база
F,МГц
1400
Pout,Вт
2
Gain,дБ
7
Vcc,В
28
Cob,пФ
4
Корпус
55LT-1
Бренд
Microsemi
1014-6A
Подробнее
Описание
1001-1400 MHz, 28V, Class C, Общая база
F,МГц
1400
Pout,Вт
6
Pin,Вт
1
Gain,дБ
7
Vcc,В
28
Cob,пФ
3
Корпус
55LV-1
Бренд
Microsemi
1015MP
Подробнее
Описание
Air DME, 1025-1150 МГц, Класс C, схема с ОБ
Pout min, Вт
15
Pin max, Вт
1
Gain min, дБ
10
Vcc, В
50
КПД, %
35
Tи, мкс
10
DC, %
1
КСВН
10:1
Rtjc, (°C/Вт)
2
Корпус
55FW-1
Бренд
Microsemi
1035MP
Подробнее
Описание
Air DME, 1025-1150 МГц, Класс C, схема с ОБ
Pout min, Вт
35
Pin max, Вт
3
Gain min, дБ
10
Vcc, В
50
КПД, %
45
Tи, мкс
10
DC, %
1
КСВН
10:1
Rtjc, (°C/Вт)
1
Корпус
55FW-1
Бренд
Microsemi
10500
Подробнее
Описание
MODE S, 1030/1090 МГц, Класс C, схема с ОБ
Pout min, Вт
500
Pin max, Вт
70
Gain min, дБ
8
Vcc, В
50
КПД, %
45
Tи, мкс
32
DC, %
2
КСВН
4:1
Корпус
55ST-1
Бренд
Microsemi
10502
Подробнее
Описание
MODE S, 1030/1090 МГц, Класс C, схема с ОБ
Pout min, Вт
500
Pin max, Вт
70
Gain min, дБ
8
Vcc, В
50
КПД, %
45
Tи, мкс
32
DC, %
2
КСВН
4:1
Корпус
55SM-1
Бренд
Microsemi
1075MP
Подробнее
Описание
Air DME, 1025-1150 МГц, Класс C, схема с ОБ
Pout min, Вт
75
Pin max, Вт
12
Gain min, дБ
7
Vcc, В
50
КПД, %
45
Tи, мкс
10
DC, %
1
КСВН
10:1
Корпус
55FW-1
Бренд
Microsemi
1090MP
Подробнее
Описание
Air DME, 1025-1150 МГц, Класс C, схема с ОБ
Pout min, Вт
90
Pin max, Вт
14
Gain min, дБ
8
Vcc, В
50
КПД, %
45
Tи, мкс
10
DC, %
1
КСВН
10:1
Корпус
55FW-1
Бренд
Microsemi
10A015
Подробнее
Описание
500-1000 МГц, Класс A, схема с ОЭ
F, МГц
1000
Pout min, Вт
1
Gain min, дБ
9
Vcc, В
20
Cob, пФ
3,8
КСВН
30:1
Rtjc, (°C/Вт)
29
Корпус
55FT-2
Бренд
Microsemi
10A015
Подробнее
Описание
501-1000 MHz,Class A, Общий эмиттер
fO,МГц
1000
Pout,Вт
1
Gain,дБ
9
Vcc,В
20
Корпус
55FT-2
Бренд
Microsemi
10A030
Подробнее
Описание
500-1000 МГц, Класс A, схема с ОЭ
F, МГц
1000
Pout min, Вт
3
Gain min, дБ
9
Vcc, В
20
Cob, пФ
7,3
КСВН
30:1
Rtjc, (°C/Вт)
12
Корпус
55FT-2
Бренд
Microsemi
10A030
Подробнее
Описание
502-1000 MHz,Class A, Общий эмиттер
fO,МГц
1000
Pout,Вт
3
Gain,дБ
9
Vcc,В
20
Корпус
55FT-2
Бренд
Microsemi