Показывать по
12 24 48 Все
ARF520 Подробнее Описание Напряжение 100-300В Pout,Вт 150 fo,МГц 100 VDD,В 165 Vdss,В 500 Корпус M174 COO A-E Бренд Microsemi ARF521 Подробнее Описание Напряжение 100-300В Pout,Вт 150 fo,МГц 150 VDD,В 165 Vdss,В 500 Корпус M174 COO A-E Бренд Microsemi C1-28 Подробнее Описание УВЧ 225-400 MHz, Class C, Общий Эмиттер Pout,Вт 1 Gain,дБ 10 Vcc,В 28 Cob,пФ 3,5 Корпус 55FU-2 Бренд Microsemi DME150 Подробнее Описание Air DME, 1025-1150 МГц, Класс C, схема с ОБ Pout min, Вт 150 Pin max, Вт 25 Gain min, дБ 7 Vcc, В 50 КПД, % 40 Tи, мкс 10 DC, % 1 КСВН 20:1 Корпус 55AY-1 Бренд Microsemi DME375A Подробнее Описание Air DME, 1025-1150 МГц, Класс C, схема с ОБ Pout min, Вт 375 Pin max, Вт 85 Gain min, дБ 6 Vcc, В 50 КПД, % 40 Tи, мкс 10 DC, % 1 КСВН 30:1 Корпус 55AT-1 Бренд Microsemi DME500 Подробнее Описание Air DME, 1025-1150 МГц, Класс C, схема с ОБ Pout min, Вт 500 Pin max, Вт 125 Gain min, дБ 6 Vcc, В 50 КПД, % 35 Tи, мкс 10 DC, % 1 КСВН 10:1 Корпус 55KT-1 Бренд Microsemi DME800 Подробнее Описание Air DME, 1025-1150 МГц, Класс C, схема с ОБ Pout min, Вт 800 Pin max, Вт 100 Gain min, дБ 9 Vcc, В 50 КПД, % 40 Tи, мкс 10 DC, % 1 КСВН 5:1 Корпус 55ST-1 Бренд Microsemi DRF100 Подробнее Описание ИС драйвера СВЧ-транзистора Pout,Вт 50 fo,МГц 30 VDD,В 25 Vdss,В 1 Корпус D-E Бренд Microsemi DRF1200 Подробнее Описание транзисторы СВЧ + MOSFET Pout,Вт 560 fo,МГц 30 VDD,В 15 Vdss,В 1000 Rjc,(°C/Вт) 1 Корпус T2B COO D-E Бренд Microsemi DRF1201 Подробнее Описание транзисторы СВЧ + MOSFET Pout,Вт 2000 fo,МГц 30 VDD,В 15 Vdss,В 1000 Корпус T2B COO D-E Бренд Microsemi DRF1202 Подробнее Описание транзисторы СВЧ + MOSFET Pout,Вт 2000 fo,МГц 30 VDD,В 15 Vdss,В 500 Корпус T2B COO D-E Бренд Microsemi DRF1203 Подробнее Описание транзисторы СВЧ + MOSFET Pout,Вт 650 fo,МГц 30 VDD,В 15 Vdss,В 1000 Корпус T2B COO D-E Бренд Microsemi DRF1300 Подробнее Описание транзисторы СВЧ + MOSFET Pout,Вт 1500 fo,МГц 30 VDD,В 15 Vdss,В 500 Корпус T4 COO D-E Бренд Microsemi DRF1301 Подробнее Описание транзисторы СВЧ + MOSFET Pout,Вт 1500 fo,МГц 30 VDD,В 15 Vdss,В 1000 Корпус T4 COO D-E Бренд Microsemi DRF200G Подробнее Описание ИС драйвера СВЧ-транзистора Pout,Вт 50 fo,МГц 30 VDD,В 25 Vdss,В 1 Корпус D-E Бренд Microsemi ITC1000 Подробнее Описание Запросчик/1030 МГц. Класс C, схема с ОБ Pout min, Вт 1000 Pin max, Вт 158 Gain min, дБ 8 Vcc, В 50 КПД, % 45 Tи, мкс 1 DC, % 1 КСВН 4:1 Корпус 55SW-1 Бренд Microsemi ITC1100 Подробнее Описание Запросчик/1030 МГц. Класс C, схема с ОБ Pout min, Вт 1000 Pin max, Вт 100 Gain min, дБ 10 Vcc, В 50 КПД, % 50 Tи, мкс 1 DC, % 1 КСВН 4:1 Корпус 55SW-1 Бренд Microsemi JTDA150A Подробнее Описание JTIDS 960-1215 МГц, Класс C, схема с ОБ Pout min, Вт 145 Pin max, Вт 25 Gain min, дБ 7 Vcc, В 36 КПД, % 45 Tи, мкс 7 DC, % 22 КСВН 3:1 Корпус 55KT-1 Бренд Microsemi JTDA50 Подробнее Описание JTIDS 960-1215 МГц, Класс C, схема с ОБ Pout min, Вт 50 Pin max, Вт 10 Gain min, дБ 7 Vcc, В 36 КПД, % 40 Tи, мкс 10 DC, % 22 КСВН 10:1 Корпус 55AT-1 Бренд Microsemi JTDB25 Подробнее Описание JTIDS 960-1215 МГц, Класс C, схема с ОБ Pout min, Вт 25 Pin max, Вт 5 Gain min, дБ 7 Vcc, В 36 КПД, % 40 Tи, мкс 10 DC, % 40 КСВН 5:1 Rtjc, (°C/Вт) 1 Корпус 55AT-1 Бренд Microsemi JTDB75 Подробнее Описание JTIDS 960-1215 МГц, Класс C, схема с ОБ Pout min, Вт 75 Pin max, Вт 15 Gain min, дБ 7 Vcc, В 36 КПД, % 40 Tи, мкс 10 DC, % 40 КСВН 3:1 Корпус 55AT-1 Бренд Microsemi MDS1100 Подробнее Описание MODE S, 1030/1090 МГц, Класс C, схема с ОБ Pout min, Вт 1100 Pin max, Вт 115 Gain min, дБ 9 Vcc, В 50 КПД, % 40 Tи, мкс 128 DC, % 2 КСВН 4:1 Корпус 55TU-1 Бренд Microsemi MDS140L Подробнее Описание MODE S-EML, 1030/1090 МГц, Класс C, схема с ОБ Pin max, Вт 15 Корпус 55AW-1 Бренд Microsemi MDS400 Подробнее Описание MODE S, 1030/1090 МГц, Класс C, схема с ОБ Pout min, Вт 400 Pin max, Вт 90 Gain min, дБ 6 Vcc, В 45 КПД, % 35 Tи, мкс 32 DC, % 1 КСВН 10:1 Корпус 55KT-1 Бренд Microsemi