Категории
ARF520
Подробнее
Описание
Напряжение 100-300В
Pout,Вт
150
fo,МГц
100
VDD,В
165
Vdss,В
500
Корпус
M174
COO
A-E
Бренд
Microsemi
ARF521
Подробнее
Описание
Напряжение 100-300В
Pout,Вт
150
fo,МГц
150
VDD,В
165
Vdss,В
500
Корпус
M174
COO
A-E
Бренд
Microsemi
C1-28
Подробнее
Описание
УВЧ 225-400 MHz, Class C, Общий Эмиттер
Pout,Вт
1
Gain,дБ
10
Vcc,В
28
Cob,пФ
3,5
Корпус
55FU-2
Бренд
Microsemi
DME150
Подробнее
Описание
Air DME, 1025-1150 МГц, Класс C, схема с ОБ
Pout min, Вт
150
Pin max, Вт
25
Gain min, дБ
7
Vcc, В
50
КПД, %
40
Tи, мкс
10
DC, %
1
КСВН
20:1
Корпус
55AY-1
Бренд
Microsemi
DME375A
Подробнее
Описание
Air DME, 1025-1150 МГц, Класс C, схема с ОБ
Pout min, Вт
375
Pin max, Вт
85
Gain min, дБ
6
Vcc, В
50
КПД, %
40
Tи, мкс
10
DC, %
1
КСВН
30:1
Корпус
55AT-1
Бренд
Microsemi
DME500
Подробнее
Описание
Air DME, 1025-1150 МГц, Класс C, схема с ОБ
Pout min, Вт
500
Pin max, Вт
125
Gain min, дБ
6
Vcc, В
50
КПД, %
35
Tи, мкс
10
DC, %
1
КСВН
10:1
Корпус
55KT-1
Бренд
Microsemi
DME800
Подробнее
Описание
Air DME, 1025-1150 МГц, Класс C, схема с ОБ
Pout min, Вт
800
Pin max, Вт
100
Gain min, дБ
9
Vcc, В
50
КПД, %
40
Tи, мкс
10
DC, %
1
КСВН
5:1
Корпус
55ST-1
Бренд
Microsemi
DRF100
Подробнее
Описание
ИС драйвера СВЧ-транзистора
Pout,Вт
50
fo,МГц
30
VDD,В
25
Vdss,В
1
Корпус
D-E
Бренд
Microsemi
DRF1200
Подробнее
Описание
транзисторы СВЧ + MOSFET
Pout,Вт
560
fo,МГц
30
VDD,В
15
Vdss,В
1000
Rjc,(°C/Вт)
1
Корпус
T2B
COO
D-E
Бренд
Microsemi
DRF1201
Подробнее
Описание
транзисторы СВЧ + MOSFET
Pout,Вт
2000
fo,МГц
30
VDD,В
15
Vdss,В
1000
Корпус
T2B
COO
D-E
Бренд
Microsemi
DRF1202
Подробнее
Описание
транзисторы СВЧ + MOSFET
Pout,Вт
2000
fo,МГц
30
VDD,В
15
Vdss,В
500
Корпус
T2B
COO
D-E
Бренд
Microsemi
DRF1203
Подробнее
Описание
транзисторы СВЧ + MOSFET
Pout,Вт
650
fo,МГц
30
VDD,В
15
Vdss,В
1000
Корпус
T2B
COO
D-E
Бренд
Microsemi
DRF1300
Подробнее
Описание
транзисторы СВЧ + MOSFET
Pout,Вт
1500
fo,МГц
30
VDD,В
15
Vdss,В
500
Корпус
T4
COO
D-E
Бренд
Microsemi
DRF1301
Подробнее
Описание
транзисторы СВЧ + MOSFET
Pout,Вт
1500
fo,МГц
30
VDD,В
15
Vdss,В
1000
Корпус
T4
COO
D-E
Бренд
Microsemi
DRF200G
Подробнее
Описание
ИС драйвера СВЧ-транзистора
Pout,Вт
50
fo,МГц
30
VDD,В
25
Vdss,В
1
Корпус
D-E
Бренд
Microsemi
ITC1000
Подробнее
Описание
Запросчик/1030 МГц. Класс C, схема с ОБ
Pout min, Вт
1000
Pin max, Вт
158
Gain min, дБ
8
Vcc, В
50
КПД, %
45
Tи, мкс
1
DC, %
1
КСВН
4:1
Корпус
55SW-1
Бренд
Microsemi
ITC1100
Подробнее
Описание
Запросчик/1030 МГц. Класс C, схема с ОБ
Pout min, Вт
1000
Pin max, Вт
100
Gain min, дБ
10
Vcc, В
50
КПД, %
50
Tи, мкс
1
DC, %
1
КСВН
4:1
Корпус
55SW-1
Бренд
Microsemi
JTDA150A
Подробнее
Описание
JTIDS 960-1215 МГц, Класс C, схема с ОБ
Pout min, Вт
145
Pin max, Вт
25
Gain min, дБ
7
Vcc, В
36
КПД, %
45
Tи, мкс
7
DC, %
22
КСВН
3:1
Корпус
55KT-1
Бренд
Microsemi
JTDA50
Подробнее
Описание
JTIDS 960-1215 МГц, Класс C, схема с ОБ
Pout min, Вт
50
Pin max, Вт
10
Gain min, дБ
7
Vcc, В
36
КПД, %
40
Tи, мкс
10
DC, %
22
КСВН
10:1
Корпус
55AT-1
Бренд
Microsemi
JTDB25
Подробнее
Описание
JTIDS 960-1215 МГц, Класс C, схема с ОБ
Pout min, Вт
25
Pin max, Вт
5
Gain min, дБ
7
Vcc, В
36
КПД, %
40
Tи, мкс
10
DC, %
40
КСВН
5:1
Rtjc, (°C/Вт)
1
Корпус
55AT-1
Бренд
Microsemi
JTDB75
Подробнее
Описание
JTIDS 960-1215 МГц, Класс C, схема с ОБ
Pout min, Вт
75
Pin max, Вт
15
Gain min, дБ
7
Vcc, В
36
КПД, %
40
Tи, мкс
10
DC, %
40
КСВН
3:1
Корпус
55AT-1
Бренд
Microsemi
MDS1100
Подробнее
Описание
MODE S, 1030/1090 МГц, Класс C, схема с ОБ
Pout min, Вт
1100
Pin max, Вт
115
Gain min, дБ
9
Vcc, В
50
КПД, %
40
Tи, мкс
128
DC, %
2
КСВН
4:1
Корпус
55TU-1
Бренд
Microsemi
MDS140L
Подробнее
Описание
MODE S-EML, 1030/1090 МГц, Класс C, схема с ОБ
Pin max, Вт
15
Корпус
55AW-1
Бренд
Microsemi
MDS400
Подробнее
Описание
MODE S, 1030/1090 МГц, Класс C, схема с ОБ
Pout min, Вт
400
Pin max, Вт
90
Gain min, дБ
6
Vcc, В
45
КПД, %
35
Tи, мкс
32
DC, %
1
КСВН
10:1
Корпус
55KT-1
Бренд
Microsemi