Категории
2001
Подробнее
Описание
2,0 ГГц, Класс C, схема с ОБ
F, МГц
2000
Pout min, Вт
1
Gain min, дБ
9
КПД, %
40
Vcc, В
28
Cob, пФ
4
КСВН
30:1
Rtjc, (°C/Вт)
35
Корпус
55BT-1
Бренд
Microsemi
2003
Подробнее
Описание
2,0 ГГц, Класс C, схема с ОБ
F, МГц
2000
Pout min, Вт
3
Gain min, дБ
8
КПД, %
40
Vcc, В
28
Cob, пФ
5
КСВН
30:1
Rtjc, (°C/Вт)
15
Корпус
55BT-1
Бренд
Microsemi
2005
Подробнее
Описание
2,0 ГГц, Класс C, схема с ОБ
F, МГц
2000
Pout min, Вт
5
Gain min, дБ
8
КПД, %
40
Vcc, В
28
Cob, пФ
7
КСВН
30:1
Rtjc, (°C/Вт)
8
Корпус
55BT-1
Бренд
Microsemi
2010
Подробнее
Описание
2,0 ГГц, Класс C, схема с ОБ
F, МГц
2000
Pout min, Вт
10
Pinmax, Вт
2
Gain min, дБ
8
КПД, %
40
Vcc, В
28
Cob, пФ
15
КСВН
30:1
Rtjc, (°C/Вт)
6
Корпус
55BT-1
2301
Подробнее
Описание
2,3 ГГц, Класс C, схема с ОБ
F, МГц
2300
Pout min, Вт
1
Gain min, дБ
8
КПД, %
40
Vcc, В
20
Cob, пФ
4
КСВН
30:1
Rtjc, (°C/Вт)
31
Корпус
55BT-1
Бренд
Microsemi
2302
Подробнее
Описание
2,3 ГГц, Класс C, схема с ОБ
F, МГц
2300
Pout min, Вт
2
Gain min, дБ
8
КПД, %
40
Vcc, В
20
Cob, пФ
5
КСВН
10:1
Rtjc, (°C/Вт)
25
Корпус
55BT-1
Бренд
Microsemi
2304
Подробнее
Описание
2,3 ГГц, Класс C, схема с ОБ
F, МГц
2300
Pout min, Вт
4
Gain min, дБ
8
КПД, %
40
Vcc, В
20
Cob, пФ
7
КСВН
10:1
Rtjc, (°C/Вт)
17
Корпус
55BT-1
Бренд
Microsemi
2307
Подробнее
Описание
2,3 ГГц, Класс C, схема с ОБ
F, МГц
2300
Pout min, Вт
7
Pinmax, Вт
1
Gain min, дБ
8
КПД, %
40
Vcc, В
20
Cob, пФ
10
КСВН
10:1
Rtjc, (°C/Вт)
8
Корпус
55BT-1
Бренд
Microsemi
3001
Подробнее
Описание
3,0 ГГц, Класс C, схема с ОБ
F, МГц
3000
Pout min, Вт
1
Gain min, дБ
8
КПД, %
30
Vcc, В
28
Cob, пФ
4
КСВН
30:1
Rtjc, (°C/Вт)
35
Корпус
55BT-1
3003
Подробнее
Описание
3,0 ГГц, Класс C, схема с ОБ
F, МГц
3000
Pout min, Вт
3
Gain min, дБ
6
КПД, %
30
Vcc, В
28
Cob, пФ
7
КСВН
10:1
Rtjc, (°C/Вт)
17
Корпус
55BT-1
3005
Подробнее
Описание
3,0 ГГц, Класс C, схема с ОБ
F, МГц
3000
Pout min, Вт
5
Pinmax, Вт
1
Gain min, дБ
5
КПД, %
30
Vcc, В
28
КСВН
9:1
Rtjc, (°C/Вт)
7
Корпус
55BT-1
Бренд
Microsemi
MS2003
Подробнее
Описание
2,0 ГГц, Класс C, схема с ОБ
F, МГц
2000
Pout min, Вт
3
Gain min, дБ
7
КПД, %
35
Vcc, В
28
Cob, пФ
9
Rtjc, (°C/Вт)
8
Корпус
M210
- 1
- 2