Показывать по
12 24 48 Все
BD429 Подробнее Корпус 16L CERDIP Темпер. диапазон M = -55°C - +125°C Число каналов 1 RS-422 X Rout=37,5 Ом X Выходной предохранитель X Burn-in X Бренд Device Engineering Incorporated BD429A Подробнее Корпус 16L SOIC WB Темпер. диапазон E = -55°C - +85°C Число каналов 1 RS-422 X Rout=37,5 Ом X Выходной предохранитель X Бренд Device Engineering Incorporated BD429A1 Подробнее Корпус 16L SOIC WB Темпер. диапазон E = -55°C - +85°C Число каналов 1 RS-422 X Rout=37,5 Ом X Выходной предохранитель X Burn-in X Бренд Device Engineering Incorporated BD429B Подробнее Корпус 28L PLCC Темпер. диапазон E = -55°C - +85°C Число каналов 1 RS-422 X Rout=37,5 Ом X Выходной предохранитель X Бренд Device Engineering Incorporated DEI0429-NES Подробнее Корпус 16L PDIP Темпер. диапазон E = -55°C - +85°C Число каналов 1 RS-422 X Rout=37,5 Ом X Выходной предохранитель X Бренд Device Engineering Incorporated DEI0429-WMB Подробнее Корпус 16L CSOP Темпер. диапазон M = -55°C - +125°C Число каналов 1 RS-422 X Rout=37,5 Ом X Выходной предохранитель X Burn-in X Бренд Device Engineering Incorporated DEI0429-WMS Подробнее Корпус 16L CSOP Темпер. диапазон M = -55°C - +125°C Число каналов 1 RS-422 X Rout=37,5 Ом X Выходной предохранитель X Бренд Device Engineering Incorporated DEI1022 Подробнее Корпус 14L SOIC NB Темпер. диапазон E = -55°C - +85°C Число каналов 1 Rout=37,5 Ом X Бренд Device Engineering Incorporated DEI1023 Подробнее Корпус 14L SOIC NB Темпер. диапазон E = -55°C - +85°C Число каналов 1 Rout=37,5 Ом X Выходной предохранитель X Бренд Device Engineering Incorporated DEI1024 Подробнее Корпус 14L SOIC NB Темпер. диапазон E = -55°C - +85°C Число каналов 1 Rout=0 Ом X Бренд Device Engineering Incorporated DEI1025 Подробнее Корпус 14L SOIC NB Темпер. диапазон E = -55°C - +85°C Число каналов 1 Rout=0 Ом X Выходной предохранитель X Бренд Device Engineering Incorporated DEI1032 Подробнее Корпус 16L SOIC NB Темпер. диапазон E = -55°C - +85°C Число каналов 1 RS-422 X Rout=0 Ом X Бренд Device Engineering Incorporated