Категории
BD429
Подробнее
Корпус
16L CERDIP
Темпер. диапазон
M = -55°C - +125°C
Число каналов
1
RS-422
X
Rout=37,5 Ом
X
Выходной предохранитель
X
Burn-in
X
Бренд
Device Engineering Incorporated
BD429A
Подробнее
Корпус
16L SOIC WB
Темпер. диапазон
E = -55°C - +85°C
Число каналов
1
RS-422
X
Rout=37,5 Ом
X
Выходной предохранитель
X
Бренд
Device Engineering Incorporated
BD429A1
Подробнее
Корпус
16L SOIC WB
Темпер. диапазон
E = -55°C - +85°C
Число каналов
1
RS-422
X
Rout=37,5 Ом
X
Выходной предохранитель
X
Burn-in
X
Бренд
Device Engineering Incorporated
BD429B
Подробнее
Корпус
28L PLCC
Темпер. диапазон
E = -55°C - +85°C
Число каналов
1
RS-422
X
Rout=37,5 Ом
X
Выходной предохранитель
X
Бренд
Device Engineering Incorporated
DEI0429-NES
Подробнее
Корпус
16L PDIP
Темпер. диапазон
E = -55°C - +85°C
Число каналов
1
RS-422
X
Rout=37,5 Ом
X
Выходной предохранитель
X
Бренд
Device Engineering Incorporated
DEI0429-WMB
Подробнее
Корпус
16L CSOP
Темпер. диапазон
M = -55°C - +125°C
Число каналов
1
RS-422
X
Rout=37,5 Ом
X
Выходной предохранитель
X
Burn-in
X
Бренд
Device Engineering Incorporated
DEI0429-WMS
Подробнее
Корпус
16L CSOP
Темпер. диапазон
M = -55°C - +125°C
Число каналов
1
RS-422
X
Rout=37,5 Ом
X
Выходной предохранитель
X
Бренд
Device Engineering Incorporated
DEI1022
Подробнее
Корпус
14L SOIC NB
Темпер. диапазон
E = -55°C - +85°C
Число каналов
1
Rout=37,5 Ом
X
Бренд
Device Engineering Incorporated
DEI1023
Подробнее
Корпус
14L SOIC NB
Темпер. диапазон
E = -55°C - +85°C
Число каналов
1
Rout=37,5 Ом
X
Выходной предохранитель
X
Бренд
Device Engineering Incorporated
DEI1024
Подробнее
Корпус
14L SOIC NB
Темпер. диапазон
E = -55°C - +85°C
Число каналов
1
Rout=0 Ом
X
Бренд
Device Engineering Incorporated
DEI1025
Подробнее
Корпус
14L SOIC NB
Темпер. диапазон
E = -55°C - +85°C
Число каналов
1
Rout=0 Ом
X
Выходной предохранитель
X
Бренд
Device Engineering Incorporated
DEI1032
Подробнее
Корпус
16L SOIC NB
Темпер. диапазон
E = -55°C - +85°C
Число каналов
1
RS-422
X
Rout=0 Ом
X
Бренд
Device Engineering Incorporated