Радиационно стойкие MOSFET транзисторы, выполненные по технологии I2MOS компании Microsemi

Компания Microsemi объявила о начале поставок образцов прототипов радиационно стойких MOSFET транзисторов нового поколения для космических применений.

Новая линейка MOSFET транзисторов, выполненных по технологии I²MOS компании Microsemi, предоставляет разработчикам самые последние технологические улучшения в области радиационно стойких транзисторов, предназначенных для применения в космическом оборудовании. Предварительное тестирование транзисторов серии I²MOS показало существенные улучшения показателей стойкости к эффекту единичного события и суммарной накопленной дозы по сравнению с существующими технологиями. Транзисторы новой серии оценочно показывают уровень линейной потери энергии при единичных событиях от 85-90 МэВ. N-канальный MOSFET транзистор MRH20N22U3 на 200В, выполненный по технологии I²MOS прошёл тестирование на эффект единичного события ионами золота при полном напряжении Bvdss 200В и уровнях напряжения Vgs -5 и -10В.

С декабря 2013 г. уже доступны образцы следующих компонентов:

До конца 2014 г. запланирован запуск транзисторов семейства I²MOS в серийное производство. В дальнейшем представленные компоненты будут выпускаться в корпусах форм-факторов TO-39 и TO-257. Все устройства показывают превосходящие самые высокие электрические и радиацонно стойкие технические характеристики.